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NTE5655通NTE5657

TRIAC - 800毫安

敏感栅

描述：

该NTE5655通过NTE5657是在一个TO92型封装设计800毫安敏感的门双向可控硅

直接驱动用IC和MOS器件。这些功能双向可控硅无空隙的玻璃钝化

芯片。

这些NTE器件是双向三端可控硅，并且可以从关闭状态到传导开关

重刑施加电压的任一极性与正或负门极触发电流。他们是否变形

签署照明，加热，冷却控制应用程序和静态开关继电器。

绝对最大额定值：

重复峰值断态电压（门打开，T

J

= + 100 ° C） ，V

DRM

NTE5655 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V

NTE5656 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 400V

NTE5657 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V

RMS通态电流（T

C

= + 75 ℃， 360 ℃的导通角） ，我

真有效值

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫安

峰值浪涌（不重复）通态电流（一个周期， 50Hz或60Hz ） ，我

TSM

. . . . . . . . . . . 8A

峰值栅极触发电流（ 3μs的最大值） ，我

GTM

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安

峰值栅极功率耗散（我

GT

≤

I

GTM

为3μs的最大值） ，P

GM

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

平均栅极耗散功率，P

G（ AV ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的

工作温度范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 100°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 °至+ 150°C

典型热阻，结到外壳，R

thJC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 ° C / W

电气特性：

(T

C

= + 25 ° C，最大额定值除非另有说明）

参数

峰值断态电流

马克斯。导通电压

DC保持电流

爆击率-的高层断态电压

符号

I

DRM

V

TM

I

H

危急

dv / dt的

测试条件

V

DRM

=最大额定值，门打开，

T

J

= +100°C

i

T

= 800毫安（峰）

门打开

V

D

= V

DRM

，门打开，T

C

= +100°C

民

–

–

–

–

典型值

0.75

–

–

10

最大

–

1.9

15

–

单位

mA

V

mA

V / μs的