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NTR1P02T1G产品参数
型号:NTR1P02T1G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
制造商包装代码:318-08
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.51
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/226853.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=226853
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=226853
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=226853
Samacsys PartID:226853
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/NTR1P02T1G.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/NTR1P02T1G.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name:SOT-23 (TO-236) CASE 318-08
Samacsys Released Date:2015-08-31 09:05:49
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:0.18 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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