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    M29W400DB45N6F 参数 Datasheet PDF下载

    M29W400DB45N6F图片预览
    型号： M29W400DB45N6F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512 KB ×8或256 KB ×16 ，引导块） 3 V电源闪存 [4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 48 页 / 1025 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M29W400DB45N6F的Datasheet PDF文件第40页浏览型号M29W400DB45N6F的Datasheet PDF文件第41页浏览型号M29W400DB45N6F的Datasheet PDF文件第42页浏览型号M29W400DB45N6F的Datasheet PDF文件第43页浏览型号M29W400DB45N6F的Datasheet PDF文件第45页浏览型号M29W400DB45N6F的Datasheet PDF文件第46页浏览型号M29W400DB45N6F的Datasheet PDF文件第47页浏览型号M29W400DB45N6F的Datasheet PDF文件第48页  
    Block protection
    M29W400DT, M29W400DB
    Figure 20. Programmer equipment chip unprotect flowchart
    START
    PROTECT ALL BLOCKS
    Set-up
    n=0
    CURRENT BLOCK = 0
    A6, A12, A15 = VIH
    E, G, A9 = VID
    Wait 4 µs
    Unprotect
    W = VIL
    Wait 10 ms
    W = VIH
    E, G = VIH
    ADDRESS = CURRENT BLOCK ADDRESS
    A0 = VIL, A1, A6 = VIH
    E = VIL
    Wait 4 µs
    G = VIL
    Verify
    Wait 60 ns
    Read DATA
    INCREMENT
    CURRENT BLOCK
    NO
    DATA
    =
    00h
    YES
    NO
    ++n
    = 1000
    YES
    LAST
    BLOCK
    YES
    A9 = VIH
    E, G = VIH
    PASS
    NO
    End
    A9 = VIH
    E, G = VIH
    FAIL
    AI03470
    44/48

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