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M29W400DB55ZE1F 参数 Datasheet PDF下载

M29W400DB55ZE1F图片预览
型号: M29W400DB55ZE1F
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内容描述: 4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 [4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 48 页 / 1025 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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DC and AC parameters  
M29W400DT, M29W400DB  
(1)  
Table 10. Device capacitance  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min  
Max  
Unit  
CIN  
Input capacitance  
Output capacitance  
VIN = 0 V  
6
pF  
pF  
COUT  
VOUT = 0 V  
12  
1. Sampled only, not 100% tested.  
Table 11. DC characteristics  
Symbol  
Parameter  
Test condition  
Min  
Max  
Unit  
ILI  
Input Leakage current  
Output Leakage current  
0 V VIN VCC  
1
1
µA  
µA  
ILO  
0 V VOUT VCC  
E = VIL, G = VIH,  
f = 6 MHz  
ICC1  
Supply current (Read)  
10  
mA  
µA  
E = VCC 0.2 V,  
RP = VCC 0.2 V  
ICC2  
Supply current (Standby)  
100  
Supply current  
(Program/Erase)  
Program/Erase  
controller active  
(1)  
ICC3  
20  
mA  
VIL  
VIH  
VOL  
VOH  
VID  
IID  
Input Low voltage  
Input High voltage  
Output Low voltage  
Output High voltage  
Identification voltage  
Identification current  
–0.5  
0.8  
V
V
0.7VCC  
VCC + 0.3  
0.45  
IOL = 1.8 mA  
V
IOH = –100 µA  
VCC – 0.4  
11.5  
V
12.5  
100  
V
A9 = VID  
µA  
Program/Erase Lockout supply  
voltage  
VLKO  
1.8  
2.3  
V
1. Sampled only, not 100% tested.  
Figure 11. Read mode AC waveforms  
tAVAV  
VALID  
A0-A17/  
A–1  
tAVQV  
tAXQX  
E
tELQV  
tEHQX  
tELQX  
tEHQZ  
G
tGLQX  
tGLQV  
tGHQX  
tGHQZ  
DQ0-DQ7/  
DQ8-DQ15  
VALID  
tBHQV  
BYTE  
tELBL/tELBH  
tBLQZ  
AI02907  
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