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M29W640GH70NB6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W640GH70NB6E图片预览
型号: M29W640GH70NB6E
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内容描述: 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,页) 3V供应闪存 [64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 90 页 / 1676 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W640GH, M29W640GL, M29W640GT, M29W640GB  
Table 18. Read ac characteristics  
DC and ac parameters  
M29W640GT,  
M29W640GB,  
M29W640GH,  
M29W640GL  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Test Condition  
Unit  
60  
70  
90  
E = VIL,  
G = VIL  
tAVAX  
tAVQV  
tAVQV1  
tRC Address Valid to Next Address Valid  
tACC Address Valid to Output Valid  
Min  
60  
70  
90  
ns  
ns  
ns  
E = VIL,  
G = VIL  
Max  
Max  
60  
25  
70  
30  
90  
30  
E = VIL,  
G = VIL  
tPAGE Address Valid to Output Valid (Page)  
(1)  
tELQX  
tLZ  
Chip Enable Low to Output Transition  
G = VIL  
G = VIL  
E = VIL  
E = VIL  
G = VIL  
Min  
Max  
Min  
0
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tELQV  
tCE Chip Enable Low to Output Valid  
tOLZ Output Enable Low to Output Transition  
tOE Output Enable Low to Output Valid  
tHZ Chip Enable High to Output Hi-Z  
60  
0
70  
0
90  
0
(1)  
tGLQX  
tGLQV  
Max  
Max  
25  
25  
30  
30  
30  
30  
(1)  
tEHQZ  
tGHQZ  
tDF Output Enable High to Output Hi-Z  
E = VIL  
Max  
Min  
25  
0
30  
0
30  
0
ns  
ns  
ns  
(1)  
tEHQZ  
tEHQX  
tGHQX  
tAXQX  
Chip Enable, Output Enable or Address  
Transition to Output Transition  
tOH  
tELBL  
tELBH  
tBLQZ  
tBHQV  
tELFL  
Chip Enable to BYTE Low or High  
tELFH  
Max  
5
5
5
tFLQZ BYTE Low to Output Hi-Z  
tFHQV BYTE High to Output Valid  
Max  
Max  
25  
25  
25  
30  
25  
30  
ns  
ns  
1. Sampled only, not 100% tested.  
49/90