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    M29W800DB45ZE1F 参数 Datasheet PDF下载

    M29W800DB45ZE1F图片预览
    型号： M29W800DB45ZE1F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 1兆位×8或512千位×16 ，引导块） 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 52 页 / 1105 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M29W800DB45ZE1F的Datasheet PDF文件第11页  
    M29W800DT, M29W800DB
    Table 1.
    Signal
    A0-A18
    DQ0-DQ7
    DQ8-DQ14
    DQ15A–1
    E
    G
    W
    RP
    RB
    BYTE
    V
    CC
    V
    SS
    NC
    Address inputs
    Data inputs/outputs
    Data inputs/outputs
    Data input/output or address input
    Chip enable
    Output enable
    Write enable
    Reset/block temporary unprotect
    Ready/busy output (not available on SO44 package)
    Byte/word organization select
    Supply voltage
    Ground
    Not connected internally
    Description
    Signal names
    Description
    Inputs
    I/O
    I/O
    I/O
    Input
    Input
    Input
    Input
    Output
    Input
    –
    –
    –
    Direction
    Figure 2.
    SO connections
    RP
    A18
    A17
    A7
    A6
    A5
    A4
    A3
    A2
    A1
    A0
    E
    VSS
    G
    DQ0
    DQ8
    DQ1
    DQ9
    DQ2
    DQ10
    DQ3
    DQ11
    1
    44
    2
    43
    3
    42
    4
    41
    5
    40
    6
    39
    7
    38
    8
    37
    9
    36
    10
    35
    11 M29W800DT 34
    12 M29W800DB 33
    13
    32
    14
    31
    15
    30
    16
    29
    28
    17
    27
    18
    26
    19
    25
    20
    21
    24
    22
    23
    W
    NC
    A8
    A9
    A10
    A11
    A12
    A13
    A14
    A15
    A16
    BYTE
    VSS
    DQ15A–1
    DQ7
    DQ14
    DQ6
    DQ13
    DQ5
    DQ12
    DQ4
    VCC
    AI05462b
    7/52

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