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NAND02GW3B2DZA6F 参数 Datasheet PDF下载

NAND02GW3B2DZA6F图片预览
型号: NAND02GW3B2DZA6F
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内容描述: 2千兆位, 2112字节/ 1056字的页面多平面架构, 1.8 V或3V时, NAND快闪存储器 [2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 69 页 / 1812 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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NAND02G-B2D  
Description  
Figure 1.  
Logic block diagram  
Address  
Register/Counter  
AL  
CL  
W
NAND Flash  
Memory Array  
P/E/R Controller,  
High Voltage  
Generator  
Command  
Interface  
Logic  
E
WP  
R
Page Buffer  
Cache Register  
Y Decoder  
Command Register  
I/O Buffers & Latches  
RB  
I/O0-I/O7 (x8/x16)  
I/O8-I/O15 (x16)  
AI13166b  
Figure 2.  
Logic diagram  
V
DD  
I/O0-I/O7 (x8/x16)  
E
I/O8-I/O15 (x16)  
R
W
NAND FLASH  
RB  
AL  
CL  
WP  
V
SS  
AI13167b  
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