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    NAND02GW3B2D 参数 Datasheet PDF下载

    NAND02GW3B2D图片预览
    型号： NAND02GW3B2D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2千兆位， 2112字节/ 1056字的页面多平面架构， 1.8 V或3V时， NAND快闪存储器 [2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories]
    分类和应用： 闪存存储
    文件页数/大小： 69 页 / 1812 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号NAND02GW3B2D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NAND02GW3B2D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NAND02GW3B2D的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NAND02GW3B2D的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NAND02GW3B2D的Datasheet PDF文件第10页浏览型号NAND02GW3B2D的Datasheet PDF文件第11页浏览型号NAND02GW3B2D的Datasheet PDF文件第12页浏览型号NAND02GW3B2D的Datasheet PDF文件第13页  
    NAND02G-B2D
    Figure 1.
    Logic block diagram
    Description
    Address
    Register/Counter
    AL
    CL
    W
    E
    WP
    R
    Command Register
    Page Buffer
    Cache Register
    Y Decoder
    Command
    Interface
    Logic
    P/E/R Controller,
    High Voltage
    Generator
    X Decoder
    NAND Flash
    Memory Array
    I/O Buffers & Latches
    RB
    I/O0-I/O7 (x8/x16)
    I/O8-I/O15 (x16)
    AI13166b
    Figure 2.
    Logic diagram
    VDD
    E
    R
    W
    AL
    CL
    WP
    NAND FLASH
    I/O0-I/O7 (x8/x16)
    I/O8-I/O15 (x16)
    RB
    VSS
    AI13167b
    9/69

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