P30
1.0
介绍
本文档介绍了恒忆™的StrataFlash信息
®
嵌入式
存储器（ P30 ）产品，并介绍其功能，操作和规范。
恒忆™的StrataFlash
®
嵌入式存储器（ P30 ）产品是最新一代
恒忆™中的StrataFlash
®
存储器装置。提供64兆位上升到512兆位
密度下， P30的设备带来可靠， 2位每单元存储技术的
嵌入式闪存细分市场。好处包括更少的空间更多的密度，高
高速接口，成本最低的每比特的NOR器件，以及用于代码和数据的支持
存储。其特点包括高性能同步突发读取模式下，快速
异步访问时间，低功耗，灵活的安全选项和第三产业
标准封装选择。在P30系列产品采用英特尔制造
*
130纳米
ETOX ™八制程技术。
在P30系列产品也计划在英特尔
*
65nm工艺光刻技术。 65纳米
AC时序变化说明在此资料，并应考虑到所有
新设计。
1.1
命名法
1.8 V:
3.0 V:
9.0 V:
V
CC
（核心）电压1.7 V范围 - 2.0 V
V
CCQ
（ I / O）的1.7 V电压范围 - 3.6 V
V
PP
8.5 V电压范围 - 9.5 V
块：
一组位，字节，或字的闪速存储器阵列内的同时擦除
当擦除命令被发送到设备。在P30有两个块大小： 32 K字节
和128 K字节。
这通常用来存储代码和/或数据的阵列块。主块大于
参数块。
是通常用来存储频繁变化的数据或小系统的阵列块
传统上会被存储在EEPROM中的参数。
其参数块的设备位于它的内存的物理地址最高
地图。
其参数块的设备位于它的内存的最低的物理地址
地图。
主座：
参数块：
顶级的设备参数：
底层设备参数：
1.2
缩略语
BEFP ：
崔：
MLC ：
OTP ：
PLR ：
PR ：
RCR ：
缓冲增强工厂编程
命令的用户界面
多级单元
一次性可编程
保护锁注册
保护注册
阅读CON组fi guration寄存器
数据表
6
2007年11月
订单号： 306666-11
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
