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    M25P64-VME6TP 参数 Datasheet PDF下载

    M25P64-VME6TP图片预览
    型号： M25P64-VME6TP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64兆位，低电压，串行闪存，具有50 MHz SPI总线接口 [64 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路时钟
    文件页数/大小： 50 页 / 943 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第42页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第43页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第44页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第45页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第46页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第47页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第49页浏览型号M25P64-VME6TP的Datasheet PDF文件第50页  
    修订历史
    M25P64
    13
    修订历史
    表18 。
    日期
    28-Apr-2003
    15-May-2003
    20-Jun-2003
    18-Jul-2003
    02-Sep-2003
    19-Sep-2003
    17-Dec-2003
    15-Nov-2004
    文档修订历史记录
    调整
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    0.6
    0.7
    1.0
    变化
    目标规范文档写的简短形式
    目标规范文档写的全
    加入8×6 MLP8和SO16 （ 300万美元）软件包
    t
    PP
    , t
    SE
    和T
    BE
    修订
    电源电压范围内变化
    表的内容，警告有关裸露焊盘上MLP8和无铅
    添加的选项
    的T值
    VSL
    （最小值）V
    WI
    , t
    PP
    （典型值）和T
    BE
    （典型值）的变化。 MLP8包
    删除。
    文档状态，从目标规格提升为初步数据。
    8×6 MLP8封装补充说。轻微的措辞变化。
    从数据表中删除深度掉电模式（图
    18 ：阅读
    电子签名（ RES ）指令序列和数据输出序列
    修改和tRES1和tRES2从删除
    表14 ：交流
    特性） 。
    SO16封装宽规格的更新。结束时间
    吨的行
    SHQZ
    修改
    图24 ：输出时机。
    图下方移动
    在相应的说明
    说明
    部分。
    在更新的页面编程（ PP ）指令
    页编程，页
    方案（PP）的
    和
    表14 ： AC特性。
    快速编程/擦除模式
    加入电指定为快速
    编程/擦除模式
    上电和掉电
    部分。 W引脚
    变成W / V
    PP
    。 （见
    写保护/增强程序的电源电压
    （w / v
    PP
    )
    描述）。记
    2
    下方插入
    图26
    空白选项
    下去除
    电镀技术。
    t
    VPPHSL
    加入
    表14 ： AC特性
    和
    图25 ： V
    PPH
    定时
    插入。
    所有的包都ECOPACK®标准。
    从初步数据为完整数据文档状态提升
    状态。
    更新VDFPN8 （ MLP8 ）包装规格（请参阅
    第11节：
    包装机械） 。
    图4 ： Bus Master，和内存上的SPI总线器件
    修改。
    I
    CC1
    在更新后的最大值
    表13： DC特性。
    24-Feb-2005
    2.0
    23-Dec-2005
    3.0
    16-Feb-2006
    07-Sep-2006
    4.0
    5
    48/50

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