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M25PE16-VMP6G 参数 Datasheet PDF下载

M25PE16-VMP6G图片预览
型号: M25PE16-VMP6G
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内容描述: 16兆位,页擦除串行闪存与字节变性, 75兆赫的SPI总线,标准引脚 [16-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte-alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 58 页 / 1214 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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操作特性
M25PE16
4
4.1
操作特性
修改共享数据的开销
写程序或一个(或多个)数据字节,两个指令是必需的:写使能
(雷恩),这是一个字节,和页写(PW)或页编程(PP)的序列,其
由四个字节加上数据。这之后是在内部循环的间隔为t (
PW
或T
PP
).
分享此开销,页写( PW )或页编程( PP )指令允许最多
256字节进行编程(比特变化从'1'到'0')或写入(改变比特为'0'或
'1')的时间,只要它们存在于连续的地址的存储器中的同一页上。
4.2
一个简单的方法来修改数据
页写(PW)指令提供修改数据(高达256的一个方便的方法
在时间连续的字节数),并且只需要简单的起始地址,并在该新数据
指令序列。
页写( PW )指令是由驱动芯片选择(S )低输入,然后
发送指令字节, 3字节地址( A23- A0),以及至少一个数据字节,
然后驱动芯片选择(S )高。当片选( S)正在举行低电平时,数据
字节的写入数据缓冲区中,从在所述第三地址字节中给出的地址
( A7 - A0 ) 。当片选( S)被驱动为高电平,写周期开始。其余,
不变,字节数据缓存器的自动装入的值
对应的被寻址的存储器页面的字节。被寻址的内存页,然后
自动放入擦除周期。最后,被寻址的存储器页面进行编程
与所述数据缓冲器中的内容。
所有这些缓冲器管理的内部处理,并且是对用户透明的。用户
被赋予了能够改变存储器的内容,在逐字节的基础设施。
为优化时序,建议使用页写( PW )指令写入所有
在一个单一的顺序与使用多个页写入连续的针对性字节( PW )
与只各含有序列几字节(见
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