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M25PE80-VMW6G 参数 Datasheet PDF下载

M25PE80-VMW6G图片预览
型号: M25PE80-VMW6G
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内容描述: 8兆位,页擦除串行闪存与字节变性, 75兆赫的SPI总线,标准引脚 [8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 66 页 / 1387 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M25PE80
操作特性
4.3
一个快速的方式来修改数据
在页编程(PP)的指令提供修改数据(高达256的一个快速的方式
在一个时间连续字节),条件是它仅包括复位位为0表示有
先前已经设置为1 。
这可能是:
当设计者对器件编程首次
当设计者知道该页面已被擦除了先前的页面
擦除( PE ) ,界别分组擦除( SSE) ,扇区擦除( SE )或批量擦除( BE )的指令。
这是有用的,例如,存储数据的一个快速流时,具有第一执行
擦除周期时间时可用
当设计者知道,只变更包括复位位为'0 ',它仍
设置为'1 ' 。当该方法是可行的,它具有最小的附加优点
的不必要的擦除操作的数量,并招致每一额外应力
页面
对于优化的定时,建议使用页面编程(PP)的指令,以
程序在一个序列中的所有连续的有针对性的字节与使用多个页面
与每个仅包含几个字节的程序(PP)的序列(见
4.4
投票在写,编程或擦除周期
在写,编程或擦除时间进一步改善可以通过不等待实现
最坏情况下的延迟(叔
PW
, t
PP
, t
PE
, t
上证
, t
SE
或T
BE
) 。写在制品(WIP )位
设置在状态寄存器中,使得应用程序可以监视其值,轮询它
建立时前一周期已完成。
4.5
RESET
内部上电复位电路,有助于防止意外的数据写入。加法
保护是通过驱动复位(复位)低在上电过程中提供,并仅
驾驶它高当V
CC
已达到正确的电压电平,V
CC
(最小值) 。
4.6
有功功率,无备用电源和深度掉电模式
当片选信号(S)为低时,器件被选中,并在有源功率模式。
当片选(S )为高电平时,装置的选择取消,但可以留在有功功率
模式,直到所有的内部时钟周期完成(编程,擦除,写入) 。然后,设备进入
到备用电源模式。该器件消耗下降至我
CC1
.
深度掉电模式时输入特定的指令(深掉电
(DP)的指令)被执行。该器件消耗进一步下降到我
CC2
。当在此
模式下,只能从深度掉电指令释放被接受。所有其他指令
将被忽略。该器件保持在深度掉电模式,直到从深发行
断电指令被执行。这可以作为一个额外的软件保护
机构,当该装置处于非活动状态的使用,以保护器件免受意外
写,编程或擦除指令。
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