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M25PE80-VMW6G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M25PE80-VMW6G
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内容描述: 8兆位,页擦除串行闪存与字节变性, 75兆赫的SPI总线,标准引脚 [8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 66 页 / 1387 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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描述
M25PE80
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描述
该M25PE80为8兆比特(1 MB × 8 )串行闪存分页通过高速内存访问
SPI兼容总线。
该存储器可以一次写入或编程为1〜 256个字节,使用页写或
页面编程指令。页写指令包括一个集成的页擦除的
周期后跟一个页编程周期。
该存储器分为16个扇区被进一步划分为各个界别分组16
( 256次部门计) 。每个扇区包含256个页面,每个界别中含有16
页。每个页面为256字节宽。因此,整个存储器可以被看作是由
4096页,或1 048 576字节。
该存储器可以一次擦除一个页面,使用页面擦除指令,一个分部门
同时,利用界别分组擦除指令,在时间方面,使用的扇区擦除
指令,或作为一个整体,采用批量擦除指令。
该内存可以写由硬件或软件使用挥发性混合保护
和非易失性的保护功能,这取决于应用需要。保护
粒度为64千字节(扇区的粒度) 。
重要注意事项
此数据表详细说明了M25PE80设备的功能性,基于先前T7Y
处理或基于当前T9HX过程(购自2007年6月)。发货
部分75 MHz的最大时钟速率工作始于2008年8星期。
有哪些变化?
在T9HX过程中的M25PE80提供以下附加功能:
整个存储器阵列被划分为4 KB的界别分组
两个新的指令:写状态寄存器( WRSR )和4 KB的界别分组擦除( SSE)
状态寄存器: 4位可写( BP0 , BP1 , BP2 , SRWD )
WP输入(引脚3) :写保护范围被扩展,视的值
BP0 , BP1 , BP2 , SRWD位。在WP写保护是一样的,如果位( BP2 ,
BP1,BP0 )被设置为( 0,0, 1)
更小的芯片尺寸使组装成一个SO8N封装。
抑制功能:
在4KB的界别分组的写保护(由WL和LD锁定位定义)
顶部和底部的扇区将不再提供。
欲了解更多详细信息,请参阅PCNMPG062148 。
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