M28W160CT70ZB6T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M28W160CT70ZB6T
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内容描述：	16兆位（ 1Mb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 [16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	50 页 / 1298 K
品牌：	NUMONYX [ NUMONYX B.V ]

M28W160CT ， M28W160CB

信号说明

参见图2逻辑图和表2 ，信号

名，对于信号的简要概述连接 -

编此设备。

地址输入（ A0 - A19 ）。

地址输入

选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同

ING总线读操作。在总线写操作

系统蒸发散它们控制发送到该命令

内部状态机的命令接口。

数据输入/输出（ DQ0 - DQ15 ）。

数据I / O

输出存储在选定的地址中的数据

在一个总线读操作或输入命令

或将数据写总线中进行编程

操作。

芯片启用（ E）。

该芯片使能输入爱科特

vates存储器控制逻辑，输入缓冲器，去

编码器和读出放大器。当芯片使能是

在V

和Reset为V

该装置是在有源

模式。当芯片使能为V

该存储器是

取消选择，输出为高阻态，

的功率消耗降低到待机

的水平。

输出使能（ G）。

输出使能控制

的总线读操作过程中的数据输出

内存。

写使能（ W）。

写使能控制

内存的命令总线写操作

界面。数据和地址输入锁存

片上的上升沿启动， E，或写恩

能， W，以先到为准。

写保护（ WP ）。

写保护是输入

这给出了一个附加的硬件保护

每个块。当写保护是V

，在锁相

羽绒被启用和的保护状态

块不能被改变。当写保护是

，的锁定被禁用，并且该块

来锁定或解锁。（参照表7 ，读亲

tection注册与保护寄存器锁定）。

复位（ RP ）。

复位输入提供了硬件

洁具重置内存。当Reset为V

内存是在复位模式：输出为高

阻抗和电流消耗是微型

而得到优化。复位后所有块处于锁定

状态。当Reset为V

，该装置是在正常

操作。退出复位模式器件进入

读阵列模式，但芯片的负跳变

启用或地址的变化是必需的，以

确保有效的数据输出。

电源电压。

提供的电力

供应到所述存储器装置的内部核心。

它是对所有操作的主电源

（读取，编程和擦除）。

DDQ

电源电压。

DDQ

提供

电源到I / O引脚，使所有的输出

放到独立的V供电

. V

DDQ

可以连接到V

或者可以使用单独的电源。

项目电源电压。

既是

控制输入端和一个电源端子。两

功能由电压范围AP-选

合股到销。电源电压V

和

程序电源电压V

可以在施加

任何顺序。

如果V

被保持在低电压范围（0V至3.6V）

被看作是一个控制输入端。在这种情况下，电压

比V低年龄

PPLK

给出了一个绝对的保障

对编程或擦除，而V

＆ GT ; V

PP1

恩

ABLES这些功能（见表15 ， DC字符

开创性意义的相关值）。 V

只

采样编程或擦除的开始;一

改变其值的动作开始后

没有任何效果，编程或擦除OP-

操作继续。

如果V

的范围是从11.4V到12.6V它作为一个

电源引脚。在这种条件下V

必须是

稳定，直到编程/擦除算法的COM

pleted （见表17和18 ）。

地面上。

对于所有电压基准

测量。

注意：在一个系统中的每个设备应具有

, V

DDQ

和V

去耦用一个0.1μF的钙

pacitor靠近引脚。参见图8 ， AC测

surement负载电路。 PCB走线宽度

应足以进行所需的V

编程和擦除电流。

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