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M28W160ECB70ZB6U 参数 Datasheet PDF下载

M28W160ECB70ZB6U图片预览
型号: M28W160ECB70ZB6U
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内容描述: 16兆位( 1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 [16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 50 页 / 1297 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M28W160ECT , M28W160ECB
命令接口
所有的总线写操作的存储器接口
通过命令接口preted 。命令
由一个或多个连续的总线写能操作
ations 。内部编程/擦除控制器han-
dles所有的时间,并验证正确执行
在编程和擦除命令。亲
克/擦除控制器提供了一个状态寄存器
其输出可在读取在任何时间,以
监视操作的进度,或副校
克/擦除状态。看
写状态机电流/接下来,摘要
命令接口。
命令接口被重置为阅读模式
在首次上电,再从退出时
设置或当V
DD
是比V低
LKO
。 COM的
命令序列,必须严格遵守。任何
命令无效组合将重置DE-
副阅读模式。请参阅
在下面的文字描述相结合。
读存储器阵列命令
读取命令返回的内存其
阅读模式。一个总线写周期要求是 -
起诉读存储器阵列命令和返回
内存读取模式。随后的读OP-
操作将读取的地址位置和输出
放的数据。当器件复位时,
内存默认为阅读模式。
读状态寄存器命令
状态寄存器指示当一个程序或
擦除操作完成,并成功或
该操作本身的故障。发出读状态
注册命令读取状态寄存器的
内容。随后总线读操作读
状态寄存器在任何地址,直到另一个
命令被发出。看
上的各个位的定义的细节。
读状态寄存器命令可能是 -
起诉在任何时候,即使是在编程/擦除
操作。程序中的任何企图读取/
擦除操作将自动输出CON组
帐篷状态寄存器。
阅读电子签名指令
在读取电子签名指令读取
制造商和设备代码和块
锁定状态,或保护注册。
在读电子签名命令由
一个写周期,随后的读操作将输出
制造商代码,设备代码,该
块锁定和锁定休眠状态,或保护
化和锁定寄存器。请参阅表
4, 5
6
的有效地址。
阅读CFI查询命令
读取查询命令用于读取数据
从通用闪存接口( CFI )内存
区,允许编程设备或应用程序
阳离子自己的接口自动匹配
该装置的特性。一个总线写
周期即可发出读取查询的COM
命令。一旦命令发出以后
总线读操作从通用读
闪存接口的存储区。看
为对Infor公司细节
息中包含的通用闪存接口
存储区域。
块擦除命令
块擦除命令可以用来删除
一个块。它把所选定块中的所有位
为'1' 。块中的所有以前的数据都将丢失。如果
块保护,然后擦除操作
中止,在该块中的数据将不被改变,并且
状态寄存器将输出错误。
两个总线写周期需要发出
命令。
第一个总线周期设置擦除
命令。
所述第二锁存器中的块地址
内部状态机,并启动程序/
擦除控制器。
如果第二个总线周期不写擦除确认
( D0H ) ,状态寄存器的位B4和B5设置和
命令中止。
擦除中止复位是否变为V
IL
。数据完整性
当擦除操作是无法保证
中止,该块必须再次删除。
在擦除操作过程中的内存将接受
读状态寄存器命令和亲
克/擦除挂起命令,所有其他的COM
指令都会被忽略。典型的擦除时间
在给定的
SEE
用于建议的流程图
使用擦除命令。
程序命令
存储器阵列可以被编程字逐
字。两个总线写周期需要发出
该计划的命令。
第一个总线周期设置程序
命令。
所述第二锁存器的地址和数据
要写入并启动编程/擦除
控制器。
在程序操作的内存将AC-
CEPT读状态寄存器命令和
编程/擦除挂起命令。典型的亲
克次在给定的
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