M28W640HCT , M28W640HCB
描述
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描述
该M28W640HCT和M28W640HCB是64兆位( 4兆×16 )的非易失性闪存
可以电气在块级进行擦除和在系统编程上的记忆
字的字用2.7 V至3.6 V V基础
DD
供应量。一个可选的12V V
PP
电源是
所提供的加速客户编程。
该器件具有非对称受阻架构。他们有135阵列
块: 4千字8参数块和127主要的32K字块。该
M28W640HCT具有参数块中的,而所述存储器地址空间的顶部
M28W640HCB位于从底部开始的参数块。内存映射
示于
该M28W640HCT和M28W640HCB拥有瞬间,个别块锁定方案
允许任何块被锁定或解锁,没有延迟,可实现即时代码和
数据保护。所有的块有三个级别的保护。它们可以被锁定和locked-
下单独防止任何意外编程或擦除。有一个附加的
硬件保护方案和擦除。当V
PP
≤
V
PPLK
所有块保护
对编程或擦除。所有的块都被锁定在上电时。
每个块可以单独被删除。擦除可以执行任一暂停
读或程序的任何其他块,然后重新开始。程序可以暂停阅读
在任何其他块的数据,然后重新开始。每个模块进行编程和擦除过
10万次。
该装置包括一个192位保护寄存器,以增加系统的保护
设计。保护寄存器被分成64位的段和一个128位的段。该
64位段中包含写忆一个唯一的设备号,而第二个
是一次性可编程的用户。用户可编程的段可以是
永久保护。
显示了保护寄存器映射。
编程和擦除命令被写入存储器的命令接口。一个片
芯片编程/擦除控制器负责必要的编程和擦除的时序
操作。一个程序或擦除操作的结束,可以检测任何错误
鉴定的条件。控制存储器所需要的命令集是一致
JEDEC标准。
该存储器被提供在TSOP48 (12 ×20毫米)和TFBGA48 ( 6.39 × 10.5毫米, 0.75毫米
间距)封装,以全部被擦除的位供给(设置为' 1') 。
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