M29DW323DT ， M29DW323DB
信号说明
SEE
和
为显的简要概述
信号相连此设备。
地址输入（ A0 - A20 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
编程/擦除CON组的命令接口
控制器。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
数据I / O
输出存储在选定的地址中的数据
在一个总线读操作。在总线写
操作它们代表发送到命令
编程/擦除的命令接口
控制器。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14 ） 。
数据I / O
输出存储在选定的地址中的数据
总线读操作过程中，当字节为高，
V
IH
。当字节为低，V
IL
这些引脚是不
使用，是高阻抗。在总线写
操作命令寄存器不使用
这些位。当读状态寄存器
这些位将被忽略。
数据输入/输出或输入地址（ DQ15A - 1 ） 。
当字节为高，V
IH
，该引脚表现为
数据输入/输出引脚（如DQ8 - DQ14 ） 。当
字节是低，V
IL
，该引脚表现为一个地址
销; DQ15A - 1低将选择AD-的LSB
身着字， DQ15A - 1高将选择MSB 。
通篇考虑引用到
数据输入/输出，包括该引脚时，字节是
高引用地址输入到在 -
CLUDE该引脚当字节为低时除外
明确规定，否则。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
V
PP
/ WRITE
V
PP/
写保护（V
PP
/ WP ） 。
该
保护引脚提供了两个函数。在V
PP
功能
化使得内存使用外部高
电压供电，以减少所需要的时间
对于程序的操作。这是通过逐个实现
通过解锁周期和/或使用本Dou-
BLE Word或四字节编程命令。
写保护功能提供了硬件
保护的两个最外侧的引导的方法
块。
当V
PP
/写保护是低，V
IL
中，存储器
保护最外边的两个引导块;节目
和在这些块擦除操作将被忽略
而V
PP
/写保护是低，即使是RP
在V
ID
.
当V
PP
/写保护为高，V
IH
中，存储器
恢复为2的前面的保护状态
最外层的引导块。计划和擦除操作
ations现在可以修改数据在这些块非
少的块被使用Block保护
保护。
当V
PP
/写保护提高到V
PP
该MEM-
储器会自动进入解锁旁路模式。
当V
PP
/写保护恢复到V
IH
或V
IL
去甲
MAL恢复运行。在解锁绕道
程序操作内存吸引我
PP
从
所述销提供了编程电路。见
在解锁绕道命令的说明
命令接口部分。从转变
V
IH
到V
PP
和V
PP
到V
IH
一定要慢
于T
VHVPP
见
从来没有养V
PP
/写保护，以V
PP
从任何
模式除了读取模式，否则内存
可能会处于不确定的状态。
在V
PP
/写保护引脚不能悬空
或不连接或设备可能变得不可靠
能。一个0.1μF电容应连接BE-
补间的V
PP
/写保护引脚和V
SS
接地引脚去耦的浪涌电流
电源。 PCB走线的宽度必须是
足以完成期间所需的电流
解锁绕道程序，我
PP
.
复位/座临时撤消（ RP ） 。
该
复位/座临时撤消引脚可
用一个硬件复位施加到存储器或
暂时取消保护已被所有块
受保护的。
请注意，若V
PP
/ WP是在V
IL
，则两个outer-
大多数引导块将保持，即使受保护的RP
是V
ID
.
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低，V
IL
对于至少
t
PLPX
。后复位/座临时撤消
变高，V
IH
，内存将准备巴士
阅读和总线写吨后操作
PHEL
or
t
RHEL
，以先到为准过去。看到就绪/忙
输出部分，
和
为
更多的细节。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
就绪/忙输出（ RB ） 。
就绪/忙脚
是漏极开路输出，可以用于识别
当设备进行编程或擦除
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NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
