M29DW323DT ， M29DW323DB
表27. CFI查询系统的接口信息
地址
数据
x16
1Bh
x8
36h
0027h
V
CC
逻辑电源最低编程/擦除电压
第7位在伏4BCD价值
3位在100毫伏值0BCD
V
CC
逻辑电源最大编程/擦除电压
第7位在伏4BCD价值
3位在100毫伏值0BCD
V
PP
[编程]供应最低编程/擦除电压
第7位在伏4HEX价值
3位在100毫伏值0BCD
V
PP
[编程]电源最大编程/擦除电压
第7位在伏4HEX价值
3位在100毫伏值0BCD
每单字节典型的超时/ Word程序= 2
n
µs
典型的超时最小尺寸写缓冲区方案= 2
n
µs
典型的超时每个别块擦除= 2
n
ms
典型的超时整片擦除= 2
n
ms
对于字节最大超时/ Word程序= 2
n
时代典型
写缓冲区方案= 2最大超时
n
时代典型
每个单独的块擦除最大超时= 2
n
时代典型
最大超时芯片擦除= 2
n
时代典型
2.7V
描述
价值
1Ch
38h
0036h
3.6V
1Dh
3Ah
00B5h
11.5V
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
3Ch
3Eh
40h
42h
44h
46h
48h
4Ah
4Ch
00C5h
0004h
0000h
000Ah
0000h
0004h
0000h
0003h
0000h
12.5V
16µs
NA
1s
NA
256 µs
NA
8s
NA
表28.设备几何定义
地址
数据
x16
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
2Dh
2Eh
2Fh
30h
31h
32h
33h
34h
x8
4Eh
50h
52h
54h
56h
58h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
62h
64h
66h
68h
0016h
0002h
0000h
0000h
0000h
0002h
0007h
0000h
0020h
0000h
003Eh
0000h
0000h
0001h
器件尺寸= 2
n
以字节数
闪存设备接口代码说明
在多字节的程序或网页的最大字节数= 2
n
擦除块的区域的数目。它指定的次数
含有相同大小的连续的擦除块的区域。
1区信息
相同尺寸=将0007h的擦除块数+ 1
1区信息
1区= 0020H * 256字节的块大小
区域2信息
相同大小的擦除块数= 003EH + 1
区域2信息
2区= 0100H * 256字节的块大小
4兆字节
x8, x16
异步。
NA
2
8
8Kbyte
63
64Kbyte
描述
价值
注：对于M29DW323DB ， 1区对应的地址000000到007FFFh和地区2至地址008000h到1FFFFFH 。
对于M29DW323DT ， 1区对应的地址1F8000h到1FFFFFH和地区2到地址000000到1F7FFFh 。
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NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
