欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M29DW324DB70N6 参数 Datasheet PDF下载

M29DW324DB70N6图片预览
型号: M29DW324DB70N6
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 32兆位(4MB X8或X16的2Mb ,双行16:16 ,引导块) 3V供应闪存 [32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 50 页 / 1295 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
 浏览型号M29DW324DB70N6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M29DW324DB70N6的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M29DW324DB70N6的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M29DW324DB70N6的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M29DW324DB70N6的Datasheet PDF文件第13页浏览型号M29DW324DB70N6的Datasheet PDF文件第14页浏览型号M29DW324DB70N6的Datasheet PDF文件第15页浏览型号M29DW324DB70N6的Datasheet PDF文件第16页  
M29DW324DT , M29DW324DB
巴士业务
有迹象表明,控制五个标准总线操作
该设备。这些总线读,写总线,输出
把禁用,待机和自动待机。
该M29DW324D的双重银行体系结构
可进行读/写操作在A银行,而读
操作正在以B银行或副执行
反之亦然。写操作在一个只允许
在时间银行。
请参阅表
3
4,
公交车运营,为summa-
RY 。少毛刺通常比芯片恩为5ns
能或写使能的存储器中被忽略
并且不影响公交车运营。
总线读。
总线读操作的读
存储器单元,或在COM的特定寄存器
命令接口。一个有效的总线读操作IN-
volves上的地址设置所需的地址
输入,应用低信号,V
IL
,到芯片使能
和输出使能,并保持写使能
高,V
IH
。数据输入/输出将输出
值,见
DE-为
当输出变为有效的尾巴。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先在AD-设置所需的地址
礼服输入。地址输入被锁定
片上的下降沿命令接口
启用或写使能,最后以先到为准。
数据输入/输出由COM的锁存
命令接口的芯片的上升沿启动
或写使能,以先到为准。输出恩
能必须维持在高位,V
IH
,整辆巴士中
写操作。参见图
写AC
波形,和表
写AC
特点,关于定时的细节要求一
求。
输出禁用。
数据输入/输出的
当输出使能高阻抗状态
高,V
IH
.
待机。
当芯片使能为高,V
IH
中,
内存进入待机模式,数据在 -
看跌期权/输出引脚被放置在高阻抗
ANCE状态。为了减少电源电流的
待机电源电流,我
CC2
,芯片使能应
在V举行
CC
± 0.2V 。对于待机电流
见水平
在编程或擦除操作内存
将继续使用编程/擦除供应
目前,我
CC3
,对于编程或擦除操作非
直到操作完成。
自动待机。
如果CMOS电平(V
CC
± 0.2V)
被用来驱动总线和总线处于非活动状态
为300ns或更多的存储器进入自动
待机状态,内部电源电流为重
缩小以待机电源电流,I
CC2
。该
数据输入/输出仍然会输出数据,如果公交车
读操作正在进行中。
特别巴士运营
附加的总线操作可以被执行以
阅读电子签名,也适用
和删除块保护。这些总线操作
系统蒸发散是专供编程使用的分析装备
精神疾病,而且通常不会在应用程序中使用。
他们需要V
ID
要应用到一些引脚。
电子签名。
该存储器具有两个
码,制造商代码和装置
码,可以读取,以确定存储器中。
这些代码可以通过施加的信号被读
在表中列出
3
4,
公交车运营。
块保护和芯片撤消。
群体
of
块可以防止意外亲
克或擦除。该保护组示
in
AD-座
礼服。整个芯片可被保护以AL-
低的块中的数据被改变。
在V
PP
/写保护引脚可被用来保护
最外边的两个引导块。当V
PP
/ WRITE
为保障在V
IL
最外边的两个引导块
保护和保持的保护无关
块保护状态或复位/座温
porary解除引脚状态。
块保护和芯片撤消操作
在描述
12/50