M29W128FH ， M29W128FL
概要说明
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概要说明
该M29W128FH和M29W128FL是128兆位（ 16Mb的X8或X16的8Mb ）非易失性
可以读取，擦除和重新编程的回忆。这些操作可以被执行
使用单一的低电压（2.7〜 3.6V）供电。上电时的回忆默认阅读
模式。该M29W128FH和M29W128FL被分为256个32 KWord的（ 64
K字节）均匀的块。
编程和擦除命令被写入存储器的命令接口。一个片
芯片编程/擦除控制器简化了编程或擦除的过程
内存采取所有需要更新的专项行动的护理
存储器的内容。一个程序或擦除操作的结束，可以检测任何错误
鉴定的条件。控制存储器所需要的命令集是一致
JEDEC标准。
该芯片使能，输出使能和写使能信号控制的总线操作
内存。它们允许大多数微处理器简单的连接，通常无需额外
逻辑。
该器件支持异步随机读取和页阅读来自的所有块
存储器阵列。
该M29W128FH和M29W128FL有一个额外的128字（ 256字节）扩展内存
可以使用专用的命令来访问块。扩展内存块可
是受保护的，因此是一种用于存储安全信息是有用的。然而，保护
不可逆的，一旦保护的保护，不能撤消。
每个块可以单独被删除，因此能够保留而老的有效数据
数据被擦除。
该器件具有两个不同层次的硬件块保护，以避免不必要的
编程或擦除（修改） ：
●
●
在V
PP
/ WP引脚保护的M29W128FH和最低块的最高块
在M29W128FL 。
RP的脚暂时取消保护所有块之前使用高保护
电压闭锁保护技术（见
记忆均提供TSOP56 （ 14× 20毫米）和TBGA64 （ 10× 13毫米， 1mm节距）
包。
为了满足环保要求，恒忆提供M29W128FH和
M29W128FL在ECOPACK
®
包。 ECOPACK封装是无铅的。类别
第二级互连标记在包装和内盒上的标签，在
符合JEDEC标准JESD97 。有关焊接的最大额定值
条件也标志着内盒上的标签。
存储器被提供与所有擦除的位（设置为' 1'） 。
该M29W128FH和M29W128FL将在整个被称作M29W128F
文档。
表1中。
A0-A22
信号名称
地址输入
7/78
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
