M29W128GH60ZA6E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M29W128GH60ZA6E
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内容描述：	128兆位（ Mb的16 ×8或8MB ×16 ，页，均匀的块） 3 V电源闪存 [128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路
文件页数/大小：	94 页 / 1789 K
品牌：	NUMONYX [ NUMONYX B.V ]

M29W128GH

M29W128GL

128兆位（ Mb的16 ×8或8MB ×16 ，页，均匀的块）

3 V电源闪存

特点

■

电源电压

– V

= 2.7〜 3.6 V的编程，擦除和

读

– V

CCQ

= 1.65〜 3.6 V的I / O缓冲器

– V

PPH

= 12 V快速程序（可选）

非同步随机/页读

- 页面大小： 8个字或16个字节

- 页面访问： 25 ， 30纳秒

- 随机访问： 60 （仅适用于

客户要求）或70 ， 80纳秒

快速的程序命令

- 32个字（ 64字节的写缓冲区）

增强的缓冲程序命令

= 256字

编程时间

- 每字节/字典型的16微秒

- 芯片上的程序时间： 5 s的V

PPH

和8秒

无V

PPH

存储器组织

- M29128GH / L： 128主要模块，

128千字节/ 64每千字

编程/擦除控制器

- 嵌入式字节/字的程序算法

编程/擦除挂起和恢复

- 读取来自任何阻止程序时

暂停

- 阅读并计划在另一座

擦除挂起

■

TSOP56 （ N）

14 ×20mm的

■

BGA

TBGA64 （ZA）

10× 13毫米

■

- 加快生产/批处理编程

- 更快的块和芯片擦除

/ WP引脚用于快速编程和写：

不管保护块的第一个或最后一个块

保护设置

软件保护：

- 挥发性保护

- 非易失性保护

•密码保护

通用闪存接口

- 64位验证码

128字扩展内存块

- 额外的块作为安全模块，或者

存储额外信息

低功耗

- 待机和自动待机

最低100,000编程/擦除周期的每

块

ECOPACK

套餐

■

解锁绕道/块擦除/芯片擦除/写

到缓冲器/增强缓冲程序

COMMANDS

表1中。

设备简介

根部件号

M29W128GH ：均匀，用V保护的最后一块

/ WP

M29W128GL ：均匀，用V保护的第一个块

/ WP

器件代码

227Eh + 2221h + 2201h

227Eh + 2221h + 2200H

2008年3月

转4

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