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M29W128GL 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M29W128GL
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内容描述: 128兆位( Mb的16 ×8或8MB ×16 ,页,均匀的块) 3 V电源闪存 [128 Mbit (16 Mb x 8 or 8 Mb x 16, page, uniform block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 94 页 / 1789 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W128GH , M29W128GL
图11. AC测量I / O波形
VCCQ
VCCQ/2
0V
AI05557b
DC和AC参数
表23 。
符号
开机等待时机
Alt键。
参数
M29W128GH,
M29W128GL
70或60
(1)
ns
80纳秒
µs
µs
µs
µs
µs
单位
t
VCHVCQH
t
VCHRH(3)
t
VCQHRH(3)
t
RHEL
t
RHWL
t
VCS
t
VIOS
t
RH
V
CC(2)
高到V
CCQ(2)
V
CC
高RP的上升沿
V
CCQ
高RP的上升沿
RP高到芯片使能低
RP高到写使能低
0
35
0
50
500
1.只可根据客户的要求。
2. V
CC
和V
CCQ
坡道必须在上电期间保持同步。
3.如果RP不是稳定吨
VCHRH
or
t
VCQHRH
,设备不允许任何读写操作和硬件复位
是必须的。
图12.上电时序等待
t
VCHVCQH
V
CC
V
CCQ
t
RHEL
E
t
VCQHRH
RP
t
VCHRH
W
t
RHWL
AI14247
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