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M29W160EB70N6T 参数 Datasheet PDF下载

M29W160EB70N6T图片预览
型号: M29W160EB70N6T
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内容描述: 16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 [16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 40 页 / 1035 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W160ET , M29W160EB
巴士业务
有迹象表明,控制五个标准总线操作
该设备。这些总线读,写总线,输出
把禁用,待机和自动待机。看
表2和表3中,总线的运行,为的摘要。
通常毛刺低于片上5ns的启用
或写使能的内存被忽略,做
不影响公交车运营。
总线读。
总线读操作的读
存储器单元,或在COM的特定寄存器
命令接口。一个有效的总线读操作IN-
volves上的地址设置所需的地址
输入,应用低信号,V
IL
,到芯片使能
和输出使能,并保持写使能
高,V
IH
。数据输入/输出将输出
值,见图11 ,阅读模式AC波形,
和表12 ,阅读交流特性,了解详细信息
的时,输出变为有效。
总线写。
总线写操作写入到
命令接口。一个有效的总线写操作
首先在AD-设置所需的地址
礼服输入。地址输入被锁定
片上的下降沿命令接口
启用或写使能,最后以先到为准。
数据输入/输出由COM的锁存
命令接口的芯片的上升沿启动
或写使能,以先到为准。输出恩
能必须维持在高位,V
IH
,整辆巴士中
写操作。请参阅图12和13 ,写交流
波形,以及表13和表14中,收件交流
特点,关于定时的细节要求一
求。
输出禁用。
数据输入/输出的
当输出使能高阻抗状态
高,V
IH
.
待机。
当芯片使能为高,V
IH
中,
内存进入待机模式,数据在 -
看跌期权/输出引脚被放置在高阻抗
表2.总线的运行,字节= V
IL
手术
总线读
总线写
输出禁用
待机
阅读制造商
CODE
阅读设备代码
注:X = V
IL
或V
IH
.
ANCE状态。为了减少电源电流的
待机电源电流,我
CC2
,芯片使能应
在V举行
CC
± 0.2V 。对于待机电流
水平见表11 ,直流特性。
在编程或擦除操作内存
将继续使用编程/擦除供应
目前,我
CC3
,对于编程或擦除操作非
直到操作完成。
自动待机。
如果CMOS电平(V
CC
± 0.2V)
被用来驱动总线和总线处于非活动状态
为150ns或更多的存储器进入自动
待机状态,内部电源电流为重
缩小以待机电源电流,I
CC2
。该
数据输入/输出仍然会输出数据,如果公交车
读操作正在进行中。
特别巴士运营。
额外的总线操作
令可以被执行以读出的电子显
自然,也给应用和删除块
保护。这些总线操作的目的是为
通过编程设备使用,并且不usu-
盟友使用的应用程序。他们需要V
ID
适用于一些引脚。
电子签名。
该存储器具有两个
码,制造商代码和装置
码,可以读取,以确定存储器中。
这些代码可以通过施加的信号被读
在表2和表3中,总线操作列出。
块保护和块unprotection的。
每个块可以单独保护,防止
意外编程或擦除。保护块
可以是不受保护的,以允许数据被改变。
有两种方法可用于保护
并取消保护块,一个是亲上使用
编程设备和其它用于在系统
使用。块保护和块撤消操作
系统蒸发散见附录C.说明
E
V
IL
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
W
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IH
地址输入
DQ15A - 1 , A0- A19
小区地址
命令地址
X
X
A0 = V
IL
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
A0 = V
IH
, A1 = V
IL
, A9 = V
ID
,
其他V
IL
或V
IH
数据输入/输出
DQ14-DQ8
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
DQ7-DQ0
数据输出
数据输入
高阻
高阻
20h
C4H ( M29W160ET )
49H ( M29W160EB )
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