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M29W160ET70N6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W160ET70N6E图片预览
型号: M29W160ET70N6E
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内容描述: 16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 [16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 40 页 / 1035 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W160ET
M29W160EB
16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块)
3V供应闪存
功能摘要
电源电压
– V
CC
= 2.7V至3.6V的编程,擦除
和阅读
访问次数: 70 ,为90ns
编程时间
- 每字节为10μs /字典型
35内存块
- 1引导块(顶部或底部的位置)
- 2参数和32个主要模块
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/ Word程序
算法
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
临时块解除保护
模式
通用闪存接口
- 64位验证码
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- 热门器件代码M29W160ET : 22C4h
- 底设备代码M29W160EB : 2249h
图1.套餐
TSOP48 ( N)
12× 20毫米
FBGA
TFBGA48 (ZA)
6× 8毫米
2008年3月
1/40