M29W160ET ， M29W160EB
信号说明
参见图2 ，逻辑图和表1中，信号
名，对于信号的简要概述连接 -
编此设备。
地址输入（ A0 - A19 ） 。
地址输入
选择的细胞中的存储器阵列中访问能很好地协同
ING总线读操作。在总线写操作
系统蒸发散它们控制发送到该命令
编程/擦除CON组的命令接口
控制器。
数据输入/输出（ DQ0 - DQ7 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
总线读操作过程中解决。在公交车
写操作它们所代表的命令
发送到程序的命令接口/
擦除控制器。
数据输入/输出（ DQ8 - DQ14 ） 。
该数据在 -
投入/产出输出保存在选定的数据
当字节期间总线读操作地址
是高电平，V
IH
。当字节为低，V
IL
，这些引脚
不使用，它们是高阻抗。在公交车
写操作命令寄存器不
使用这些位。当读状态寄存器
这些位将被忽略。
数据输入/输出或输入地址（ DQ15A - 1 ） 。
当字节为高，V
IH
，该引脚表现为
数据输入/输出引脚（如DQ8 - DQ14 ） 。当
字节是低，V
IL
，该引脚表现为一个地址
销; DQ15A - 1低会选择Word中的LSB
在其他地址， DQ15A - 1高将选择
的MSB。通篇考虑引用
数据输入/输出，包括该引脚时，
字节是高和引用的地址在 -
把包含该引脚时，字节是除了低
明确指出，否则当。
芯片启用（ E） 。
该芯片使能， E，激活
内存，允许总线读取和写入总线OP-
要执行的操作。当芯片使能是
高，V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
输出使能（ G） 。
输出使能，G ，连续的
指令对内存的总线读操作。
写使能（ W） 。
写使能， W，控制
内存的COM的的总线写操作
命令接口。
复位/座临时撤消（ RP ） 。
该
复位/座临时撤消引脚可
用一个硬件复位施加到存储器或
暂时取消保护已被所有块
受保护的。
硬件复位是通过保持复位实现/
座临时撤消低，V
IL
对于至少
t
PLPX
。后复位/座临时撤消
变高，V
IH
，内存将准备巴士
阅读和总线写吨后操作
PHEL
or
t
RHEL
，以先到为准过去。看到就绪/忙
输出部分，表15和图14 ，复位/
临时撤消AC特性更
详细信息。
在V控股RP
ID
将暂时取消保护
在存储器受保护的块。计划和
对所有的块擦除操作将成为可能。
从V过渡
IH
到V
ID
必须比要慢
t
PHPHH
.
就绪/忙输出（ RB ） 。
就绪/忙脚
是漏极开路输出，可以用于识别
当设备进行编程或擦除
操作。在编程或擦除操作
就绪/ BUSY为低电平，V
OL
。就绪/忙是高im-
在读取模式pedance ，自动选择模式
和擦除挂起模式。
硬件复位后，总线读取和写入总线
操作不能开始，直到就绪/忙BE-
来自高阻抗。参见表15和图
抽动。
采用漏极开路输出允许就绪/
要连接从多个存储器忙碌引脚
到一个单一的上拉电阻。那么A低会显示
的存储器的一个，或多个，正忙。
字节/字组织的选择（ BYTE ） 。
该
字节/字组织选择引脚用于
的8位和16位总线模式之间切换
的存储器。当字节/字组织硒
择是低，V
IL
时，所述存储器是在8位模式下，
它是高，V
IH
，内存是16位模式。
V
CC
电源电压。
在V
CC
电源电压
提供电源的所有操作（读，亲
克，擦除等） 。
命令接口被禁用V时
CC
电源电压小于所述锁定电压，
V
LKO
。这可以防止总线写操作，从AC-
cidentally破坏在上电期间的数据，
掉电和电源浪涌。如果程序/
擦除控制器是编程或擦除过程中
这一次则操作中止， memo-
RY内容被修改无效。
一个0.1μF电容应连接之间
在V
CC
电源电压引脚和V
SS
地
引脚从电源去耦浪涌电流
供应量。在PCB走线宽度必须足以
携带在程序所需的电流和
擦除操作，我
CC3
.
V
SS
地面上。
在V
SS
地面为基准
所有的电压测量。这两个V
SS
销
设备必须连接到系统接地。
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NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
