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M29W400DB45M6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W400DB45M6E图片预览
型号: M29W400DB45M6E
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内容描述: 4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 [4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 48 页 / 1025 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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命令接口
M29W400DT , M29W400DB
在程序运行内存将忽略所有的命令。它不可能
发出任何命令来中止或暂停操作。典型的计划时间是在给定的
总线读操作
在编程操作期间将输出的状态寄存器的数据输入/输出。看
在状态的部分注册的详细信息。
之后的编程操作已完成的存储器将返回到读模式,除非
已发生错误。当发生错误时的存储器将继续输出状态
注册。读/复位命令必须发出复位错误条件并返回到
阅读模式。
需要注意的是该程序的命令不能更改位设置为'0'回到'1' 。其中擦除​​的
命令必须被用于设置在一个块中或在整个存储器从'0 '变为'1 '中的所有位。
4.4
解锁绕道命令
所述解锁绕道命令用于在结合解锁绕道程序
命令程序的内存。时的存取时间的设备是长期(如用
一些EPROM编程器)相当长的时间可以节省通过使用这些作
命令。需要三个总线写操作发出解锁绕道命令。
一旦解锁绕道命令已发出的内存将只接受解锁
绕道程序命令和解锁绕道复位命令。该存储器可以是
犹如在阅读模式。
4.5
解锁绕道程序命令
解锁绕道程序命令可用于程序存储器的地址在
一时间。此命令需要两个总线写操作,最后写操作锁存器
的地址和数据,并开始编程/擦除控制器。
使用解锁绕道程序命令的程序操作行为相同
使用程序命令的程序操作。受保护的块不能被
编程;该操作不能终止,状态寄存器被读取。错误必须
复位使用读/复位命令,这让该设备在解锁旁路模式。
请参阅有关行为的详细信息,该计划的命令。
4.6
解锁绕道复位命令
解锁绕道复位命令可用于返回读取/复位模式
解锁旁路模式。需要两个总线写操作发出的解锁绕道
复位命令。读/复位命令不会从解锁绕道模式中退出。
4.7
芯片擦除命令
芯片擦除命令可用于擦除整个芯片。六总线写操作
需要发出芯片擦除命令并启动编程/擦除控制器。
如果任何块被保护,则这些被忽略,并且所有其它的块被擦除。如果所有的
该块被保护的芯片擦除操作出现开始,但将终止
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