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    M29W400DB55ZA6F 参数 Datasheet PDF下载

    M29W400DB55ZA6F图片预览
    型号： M29W400DB55ZA6F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512 KB ×8或256 KB ×16 ，引导块） 3 V电源闪存 [4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 48 页 / 1025 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M29W400DB55ZA6F的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M29W400DB55ZA6F的Datasheet PDF文件第30页浏览型号M29W400DB55ZA6F的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M29W400DB55ZA6F的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M29W400DB55ZA6F的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M29W400DB55ZA6F的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M29W400DB55ZA6F的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M29W400DB55ZA6F的Datasheet PDF文件第37页  
    M29W400DT ， M29W400DB
    图13.写AC波形，芯片使能受控
    tAVAV
    A0-A17/
    A–1
    有效
    tELAX
    塔维尔
    W
    tWLEL
    G
    tGHEL
    E
    tELEH
    tEHWH
    DC和AC参数
    tEHGL
    tEHEL
    tDVEH
    DQ0-DQ7/
    DQ8-DQ15
    有效
    tEHDX
    VCC
    tVCHWL
    RB
    tEHRL
    AI01870C
    表14 。
    符号
    t
    AVAV
    t
    WLEL
    t
    ELEH
    t
    DVEH
    t
    EHDX
    t
    EHWH
    t
    EHEL
    t
    AVEL
    t
    ELAX
    t
    GHEL
    t
    EHGL
    t
    EHRL(1)
    t
    VCHWL
    写AC特点，芯片使能受控
    M29W400D
    ALT
    t
    WC
    t
    WS
    t
    CP
    t
    DS
    t
    DH
    t
    WH
    t
    CPH
    t
    AS
    t
    AH
    参数
    45
    地址有效到下一个地址有效
    写使能低到芯片使能低
    芯片使能低到芯片使能高
    输入有效到芯片使能高
    芯片使能高到输入转换
    芯片使能高到写使能高
    芯片使能高到芯片使能低
    地址有效到芯片使能低
    芯片使能低到地址转换
    输出使能高芯片使能低
    t
    OEH
    t
    忙
    t
    VCS
    芯片使能高到输出使能低
    编程/擦除有效到RB低
    V
    CC
    高到写使能低
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    最大
    民
    45
    0
    30
    25
    0
    0
    30
    0
    40
    0
    0
    30
    50
    55
    55
    0
    30
    30
    0
    0
    30
    0
    45
    0
    0
    30
    50
    70
    70
    0
    30
    45
    0
    0
    30
    0
    45
    0
    0
    35
    50
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    µs
    单位
    1.采样只，而不是100 ％测试。
    33/48

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