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M29W400DB70ZE1T 参数 Datasheet PDF下载

M29W400DB70ZE1T图片预览
型号: M29W400DB70ZE1T
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内容描述: 4兆位( 512 KB ×8或256 KB ×16 ,引导块) 3 V电源闪存 [4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 48 页 / 1025 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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巴士业务
M29W400DT , M29W400DB
3
巴士业务
有用于控制设备5标准的总线操作。这些总线读,公交车
写,输出禁用,待机和自动待机。看
公共汽车
操作,一个摘要。典型地小于5纳秒片上的毛刺启用或收件
启用的内存被忽略,不影响公交车运营。
3.1
总线读
总线读操作从存储单元,或者在命令的特定寄存器读取
界面。一个有效的总线读操作涉及的地址设置所需的地址
输入,应用低信号,V
IL
,到芯片使能和输出使能和写保
启用高,V
IH
。数据输入/输出将输出值,见
用于当所述输出信息
变为有效。
3.2
总线写
总线写操作写入命令接口。一个有效的总线写操作开始由
设置在地址输入所需的地址。的地址输入由锁存
片上的下降沿命令接口启用或写使能,以先到为准
最后。数据输入/输出的上升沿锁存的命令接口
芯片使能或写使能,以先到为准。输出使能必须维持在高位,V
IH
,
在整个总线写操作。看
写AC波形,
写AC特点,对时序要求的详细信息。
3.3
输出禁用
数据输入/输出均处于高阻抗状态时,输出使能为高,V
IH
.
3.4
待机
当芯片使能为高,V
IH
,内存进入待机模式和数据
输入/输出引脚置于高阻抗状态。为了减少电源电流
待机电源电流,我
CC2
,芯片使能在V应该举行
CC
± 0.2 V.对于
待机电流水平看
在编程或擦除操作的内存将继续使用编程/擦除
电源电流,我
CC3
,对于编程或擦除操作,直到操作完成。
3.5
自动待机
如果CMOS电平(V
CC
± 0.2 V )被用来驱动总线和总线处于非活动状态为150毫微秒或
更多的内存自动进入待机状态,内部电源电流降低到
待机电源电流,我
CC2
。数据输入/输出将如仍输出数据总线读
操作正在进行中。
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