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M29W640FB60N6F 参数 Datasheet PDF下载

M29W640FB60N6F图片预览
型号: M29W640FB60N6F
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内容描述: 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,页,引导块) 3V供应闪存 [64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 71 页 / 1409 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W640FT , M29W640FB
概要说明
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概要说明
该M29W640F是一个64兆位( 8Mb的×8或4Mb的x16的),可以读取非易失性存储器,
擦除和重新编程。这些操作可以通过一个单一的低电压下进行
(2.7〜 3.6V )供电。上电时的内存默认的阅读模式。
所述存储器被划分成可以独立地被擦除的块,以便能够
保留有效数据,而旧的数据被擦除。模块可以在256 K字节为单位进行保护
(一般为4个64千字节块组) ,以防止意外编程或擦除
从修改存储器命令。编程和擦除命令写入
存储器的命令接口。片上编程/擦除控制器简化了
编程或擦除内存采取所有特别的护理程序
所需要更新的存储器内容的操作。编程或擦除的结束
操作可以被检测到的任何错误条件确定。所需的命令集
控制内存符合JEDEC标准相一致。
该器件采用不对称受阻架构。该装置具有135的阵列
块:
8参数块,每块8千字节(或每4 K字)
主块127每64千字节(或32 K字每个)
M29W640FT具有参数块处,而所述存储器地址空间的顶部
M29W640FB定位的参数块从底部开始。
该M29W640F有一个额外的块,扩展块, 128字的x16模式,或
256字节在x8模式,可以利用专用的命令来访问。扩展
块可以被保护,并且因此是用于存储安全信息是有用的。然而,
保护是不可逆的,一旦保护的保护,不能撤消。
芯片使能,输出使能和写使能信号控制的总线操作
内存。它们允许大多数微处理器简单的连接,通常无需额外
逻辑。
在V
PP
/ WP信号用于使所述设备的更快的编程,可以使多个
字/字节编程。如果这个信号保持在V
SS
时,引导块,和它的相邻
参数块中,被保护免受编程和擦除操作。
该器件支持异步随机读取和页阅读来自的所有块
存储器阵列。
记忆均提供TSOP48 ( 12倍20毫米)和TFBGA48 ( 6x8mm , 0.8mm间距)
包。
为了满足环保要求, ST提供的M29W640FT和
M29W640FB在ECOPACK
®
包。 ECOPACK封装是无铅的。类别
第二级互连标记在包装和内盒上的标签,在
符合JEDEC标准JESD97 。有关焊接的最大额定值
条件也标志着内盒上的标签。 ECOPACK是ST的商标。
ECOPACK规范可在这里: www.st.com 。
该存储器在出厂时全部被擦除的位(设置为1) 。
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