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M29W640GL70NB6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W640GL70NB6E图片预览
型号: M29W640GL70NB6E
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内容描述: 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,页) 3V供应闪存 [64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 90 页 / 1676 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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命令接口
表12 。
M29W640GH , M29W640GL , M29W640GT , M29W640GB
编程,擦除时间和耐力周期
参数
符号
典型值
(1)(2)
80
t
WHWH2
0.5
50
(6)
10
10
10
10
t
WHWH1
10
180
45
80
40
20
10
400
(3)
200
(3)
100
(3)
50
(3)
4
100,000
20
200
(3)
200
(3)
200
(3)
200
(3)
最大
(2)
400
(3)
单位
s
s
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
s
s
s
s
µs
周期
岁月
芯片擦除
块擦除( 64字节)
(4)(5)
擦除挂起等待时间
程序(字节或字)
双字节
双字/四字节编程
四人间词/八倍字节编程
单字节和Word程序
(7)
32字节/ 16 Word程序使用写入缓存和程序
32字节/ 16 Word程序使用写入缓存和程序
(V
PP
/ WP = 12V )
芯片计划(逐字节)
芯片方案(一字一句)
芯片方案(双字/四人间字节编程)
芯片方案(四人间词/八倍字节编程)
计划暂停等待时间
编程/擦除周期(每块)
数据保留
1.典型值在室温下测量和标称电压。
2.采样,而不是100 %测试。
在最坏的情况下的温度和V测量3.最大价值
CC
之后100,00编程/擦除周期。
4.该时间不包括预编程的时间。
5.块擦除周期轮询的时间(见
在最坏的情况下的温度和V测量6.最大值
CC
.
7.程序轮询周期时间(见
36/90