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M29W640GL70NB6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W640GL70NB6E图片预览
型号: M29W640GL70NB6E
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内容描述: 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,页) 3V供应闪存 [64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 90 页 / 1676 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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包装机械
M29W640GH , M29W640GL , M29W640GT , M29W640GB
图23. TFBGA48 6x8mm - 6×8的活性球阵列, 0.8mm间距,封装外形
D
FD
FE
SD
D1
SE
E
E1
球"A1"
ddd
e
e
A
A1
b
A2
BGA-Z32
1.该图未按比例绘制。
表24中。
符号
TFBGA48 6x8mm - 6×8的活性球阵列, 0.8mm间距,包装机械数据
MILLIMETERS
典型值
最大
1.200
0.260
0.900
0.350
6.000
4.000
5.900
0.450
6.100
0.100
8.000
5.600
0.800
1.000
1.200
0.400
0.400
7.900
8.100
0.3150
0.2205
0.0315
0.0394
0.0472
0.0157
0.0157
0.3110
0.2362
0.1575
0.0138
0.2323
0.0102
0.0354
0.0177
0.2402
0.0039
0.3189
典型值
英寸
最大
0.0472
A
A1
A2
b
D
D1
ddd
E
E1
e
FD
FE
SD
SE
58/90