M29W640GH ， M29W640GL ， M29W640GT ， M29W640GB
描述
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描述
该M29W640G是一个64兆位（ 8Mb的×8或4Mb的x16的），可以读取非易失性存储器，
擦除和重新编程。这些操作可以通过一个单一的低电压下进行
（2.7〜 3.6V ）供电。上电时的内存默认的阅读模式。
所述存储器被划分成可以独立地被擦除的块，以便能够
保留有效数据，而旧的数据被擦除。编程和擦除命令写入
存储器的命令接口。片上编程/擦除控制器简化了
编程或擦除内存采取所有特别的护理程序
所需要更新的存储器内容的操作。编程或擦除的结束
操作可以被检测到的任何错误条件确定。所需的命令集
控制内存符合JEDEC标准相一致。
该M29W640GH和M29W640GL存储阵列是由128块均匀
每64千字节（或每32 K字） 。
该M29W640GT和M29W640GB配备了非对称的块结构。该器件
有135块阵列，除以每8个字节（或4 K字成8块参数
每一个） ，以及每64千字节（或每32 K字） 127主块。该M29W640GT有
该参数块处，而M29W640GB的存储器地址空间的顶
定位的参数块从底部开始。
块由基团保护，以防止意外编程或擦除命令
修改存储器。
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描述了M29W640GH和M29W640GL保护粒度。
和
形容对M29W640GT保护粒度和
M29W640GB.
该M29W640G支持异步随机读取和页阅读来自各块
存储器阵列。
芯片使能，输出使能和写使能信号控制的总线操作
内存。它们允许大多数微处理器简单的连接，通常无需额外
逻辑。
在V
PP
/ WP信号用于使所述设备的更快的编程。保护
编程/擦除操作可以通过按住V获得
PP
/ WP到V
SS
:
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在M29W640GH和M29W640GL ，最后与第一块被保护，
分别。
在M29W640GT和M29W640GB ，前两个和最后两个引导块是
受保护的。
这些器件具有一套完整快速的程序命令来提高编程
吞吐量：
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2字节的程序：它是没有必要的，以提高V
PP
/ WP发出此之前， 12V
命令
2个字/ 4字节的程序：这是没有必要提高V
PP
/ WP至12V之前发行
此命令。
4字/ 8字节的程序： V
PP
/ WP必须在发出此之前提高至12V
命令。
写缓冲和程序，允许在一个编程打出16个字/ 32的缓冲
字节。
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