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M29W640GT90NA6F 参数 Datasheet PDF下载

M29W640GT90NA6F图片预览
型号: M29W640GT90NA6F
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内容描述: 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,页) 3V供应闪存 [64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Page) 3V supply Flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 90 页 / 1676 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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命令接口
M29W640GH , M29W640GL , M29W640GT , M29W640GB
4.2
快速的程序命令
有五个可用来提高编程吞吐量快速的程序命令,
通过编写并行几个相邻的字或字节:
四倍和八倍字节编程,可用于X8操作
双和四人间Word程序,可用于x16的操作
写缓冲和程序
快速的程序命令可以暂停,然后继续通过发行计划
暂停命令和程序恢复命令,分别为(见
4.2.1
双字节程序命令
双字节程序命令用于在写两个相邻字节的页面
平行。这两个字节必须DQ15A - 1唯一区别。三总线写周期是必要的
发出双字节程序命令。
1.
2.
3.
第一个总线周期设置了双字节程序命令。
第二总线周期锁存地址和第一字节的数据被写入。
第三总线周期,锁存地址和第二字节的数据被写入。
注意:
没有必要提高V
PP
/ WP发出此命令之前到12V 。
4.2.2
四字节编程命令
在四字节编程命令用于在写四个相邻字节的页面
平行。这四个字节必须为地址A0的区别仅在于, DQ15A - 1 。五总线写周期
有必要发出的四字节编程命令:
1.
2.
3.
4.
5.
第一个总线周期设置了四字节的程序命令。
第二总线周期锁存地址和第一字节的数据被写入。
第三总线周期,锁存地址和第二字节的数据被写入。
第四总线周期锁存地址和第三字节的数据被写入。
第五总线周期锁存地址和将要写入的第四字节的数据和
开始编程/擦除控制器。
注意:
没有必要提高V
PP
/ WP发出此命令之前到12V 。
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