欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M29W800DB70ZE1E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DB70ZE1E图片预览
型号: M29W800DB70ZE1E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
 浏览型号M29W800DB70ZE1E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M29W800DB70ZE1E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M29W800DB70ZE1E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M29W800DB70ZE1E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M29W800DB70ZE1E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M29W800DB70ZE1E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M29W800DB70ZE1E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M29W800DB70ZE1E的Datasheet PDF文件第9页  
M29W800DT
M29W800DB
8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块)
3 V电源闪存
特点
电源电压
– V
CC
= 2.7 V至3.6 V的编程,擦除和
访问次数: 45 , 70 , 90纳秒
编程时间
- 每字节/字典型的10微秒
19内存块
- 1引导块(顶部或底部的位置)
- 2参数和16个主要模块
编程/擦除控制器
- 嵌入式字节/字的程序算法
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
解锁绕道程序命令
- 加快生产/批处理编程
临时块解除保护模式
通用闪存接口
- 64位防伪码
低功耗
- 待机和自动待机
每座10万编程/擦除周期
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- 热门器件代码M29W800DT : 22D7h
- 底设备代码M29W800DB : 225Bh
TFBGA48 ( ZE )
6毫米x 8毫米
TSOP48 ( N)
12 ×20mm的
SO44 (M)的
FBGA
2008年3月
转10
1/52
www.numonyx.com
1