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M29W800DB70ZE1E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DB70ZE1E图片预览

型号：	M29W800DB70ZE1E
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	8兆位（ 1兆位×8或512千位×16 ，引导块） 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路
文件页数/大小：	52 页 / 1105 K
品牌：	NUMONYX [ NUMONYX B.V ]

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描述

M29W800DT ， M29W800DB

1

描述

该M29W800D是8兆比特（1兆×8或512千位×16）的非易失性存储器，可以是

读取，擦除和重新编程。这些操作可以通过一个单一的低来进行

电压（2.7〜 3.6 V ）供电。上电时，存储默认的读取模式，其中它

可以读取以同样的方式作为ROM或EPROM 。

所述存储器被划分成可以独立地被擦除的块，以便能够

保留有效数据，而旧的数据被擦除。每个块可独立地被保护以

防止意外编程或修改存储器擦除命令。计划和

擦除命令被写入存储器的命令接口。片上

编程/擦除控制器简化了编程的过程中或擦除的存储器

采取一切所需更新的内存内容的专项行动的照顾。

一个程序或擦除操作的结束，可以检测任何错误条件

识别。控制内存所需的命令集与JEDEC保持一致

标准。

在存储器中的块被非对称地布置，见

图5 ：块地址（ ×8）

和

图6 ：块地址（ ×16 ）。

第一个或最后64字节被分成四个

附加块。在16K字节的引导块，可用于小的初始化代码开始

微处理器，两个8千字节参数块可用于存储参数

和剩余的32 -K字节是其中应用程序可以存储在小主块。

芯片使能，输出使能和写使能信号控制的总线操作

内存。它们允许大多数微处理器简单的连接，通常无需额外

逻辑。

内存在SO44 ， TSOP48 （12 ×20毫米）， TFBGA48 6毫米x 8毫米提供（ 0.8毫米

间距）封装。该存储器被提供有全部被擦除的位（设置为' 1'）。

图1 。

逻辑图

VCC

19

A0-A18

W

E

G

RP

字节

M29W800DT

M29W800DB

15

DQ0-DQ14

DQ15A–1

RB

VSS

AI05470B

6/52

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