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    M29W800DT70N1T 参数 Datasheet PDF下载

    M29W800DT70N1T图片预览
    型号： M29W800DT70N1T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 1兆位×8或512千位×16 ，引导块） 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 52 页 / 1105 K
    品牌： NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
     浏览型号M29W800DT70N1T的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M29W800DT70N1T的Datasheet PDF文件第30页浏览型号M29W800DT70N1T的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M29W800DT70N1T的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M29W800DT70N1T的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M29W800DT70N1T的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M29W800DT70N1T的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M29W800DT70N1T的Datasheet PDF文件第37页  
    M29W800DT ， M29W800DB
    图14.复位/座临时撤消AC波形
    DC和AC参数
    W， E，G
    tPHWL ， tPHEL ， tPHGL
    RB
    tRHWL ， tRHEL ， tRHGL
    RP
    tPLPX
    tPHPHH
    tPLYH
    AI06870
    表15 。
    符号
    t
    PHWL （1）
    t
    PHEL
    t
    PHGL （1）
    t
    RHWL （1）
    t
    RHEL （ 1 ）
    t
    RHGL （1）
    t
    PLPX
    t
    PLYH （1）
    t
    PHPHH （1）
    复位/座临时撤消AC特性
    M29W800D
    ALT
    参数
    45纳秒
    RP高到写使能低，芯片使能
    低，输出使能低
    70纳秒
    90纳秒
    单位
    t
    RH
    民
    50
    50
    50
    ns
    t
    RB
    t
    RP
    t
    准备
    t
    VIDR
    RB高到写使能低，芯片使能
    低，输出使能低
    RP脉冲宽度
    RP低到读模式
    RP上升时间到V
    ID
    民
    民
    最大
    民
    0
    500
    10
    500
    0
    500
    10
    500
    0
    500
    10
    500
    ns
    ns
    µs
    ns
    1.采样只，而不是100 ％测试。
    33/52

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