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M29W800DT70N1T 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DT70N1T图片预览
型号: M29W800DT70N1T
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M29W800DT , M29W800DB
表1中。
信号
A0-A18
DQ0-DQ7
DQ8-DQ14
DQ15A–1
E
G
W
RP
RB
字节
V
CC
V
SS
NC
地址输入
数据输入/输出
数据输入/输出
数据输入/输出或输入地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
复位/座临时撤消
就绪/忙输出(不SO44封装)
字节/字组织的选择
电源电压
在内部没有连接
描述
信号名称
描述
输入
I / O
I / O
I / O
输入
输入
输入
输入
产量
输入
方向
图2中。
SO连接
RP
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
E
VSS
G
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
44
2
43
3
42
4
41
5
40
6
39
7
38
8
37
9
36
10
35
11 M29W800DT 34
12 M29W800DB 33
13
32
14
31
15
30
16
29
28
17
27
18
26
19
25
20
21
24
22
23
W
NC
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
VSS
DQ15A–1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
AI05462b
7/52