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M29W800DT70ZE6E 参数 Datasheet PDF下载

M29W800DT70ZE6E图片预览
型号: M29W800DT70ZE6E
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内容描述: 8兆位( 1兆位×8或512千位×16 ,引导块) 3 V电源快闪记忆体 [8-Mbit (1 Mbit x 8 or 512 Kbits x 16, boot block) 3 V supply flash memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 52 页 / 1105 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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信号说明
M29W800DT , M29W800DB
2
信号说明
SEE
为信号的简要概述
连接到该设备。
2.1
地址输入( A0 - A18 )
的地址输入选择单元中的存储器阵列中的过程中总线读访问
操作。在总线写操作这些控制发送到该命令的命令
接口内部状态机。
2.2
数据输入/输出( DQ0 - DQ7 )
数据输入/输出输出保存在选定的地址在一个总线上读取的数据
操作。在总线写操作它们代表发送到该命令的命令
接口内部状态机。
2.3
数据输入/输出( DQ8 - DQ14 )
数据输入/输出输出保存在选定的地址在一个总线上读取的数据
运行时字节为高,V
IH
。当字节为低,V
IL
这些引脚不使用,是
高阻抗。在总线写操作命令寄存器不使用这些位​​。
当读状态寄存器,这些位应该被忽略。
2.4
数据输入/输出或输入地址( DQ15A - 1 )
当字节为高,V
IH
,该引脚的行为,作为数据输入/输出引脚(如DQ8 - DQ14 ) 。当
字节是低,V
IL
,该引脚的行为作为地址引脚; DQ15A - 1低将选择的LSB
在其他地址的话, DQ15A - 1高将选择MSB 。通篇
考虑引用的数据输入/输出,包括该引脚时,字节是高和
引用地址输入到包括该引脚时,字节是低,除了规定时
另有明确。
2.5
芯片启用( E)
芯片使能, E,激活记忆,使总线上读取和写入的总线操作是
进行。当芯片使能为高,V
IH
所有其他引脚都将被忽略。
2.6
输出使能( G)
输出使能,G ,控制对存储器的总线读操作。
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