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M36L0R7060T1ZAQF图片预览
型号: M36L0R7060T1ZAQF
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内容描述: 128兆位(多银行,多层次,连拍),闪存和64兆位(突发)的PSRAM , 1.8 V电源供电,多芯片封装 [128 Mbit (Multiple Bank, Multilevel, Burst) Flash memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package]
分类和应用: 闪存内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 446 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M36L0R7060T1
M36L0R7060B1
128兆位(多银行,多层次,突发)闪存
和64兆位(突发)的PSRAM , 1.8 V电源,多芯片封装
特点
多芯片封装
- 1模128兆位(8 MB X16 ,多个银行,
多层次,突发)闪存
- 1模64兆位( Mb的4 ×16)伪SRAM
电源电压
– V
DDF
= V
CCP
= V
DDQF
= 1.7〜 1.95 V
– V
PPF
= 9 V快速程序
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 热门器件代码
M36L0R7060T1 : 88C4h
- 底设备代码
M36L0R7060B1 : 88C5h
- ECOPACK®
FBGA
TFBGA88 ( ZAQ )
8 ×10mm的
安全
- 64位的唯一设备号
- 2112位用户可编程OTP细胞
块锁定
- 所有的块锁定在上电时
- 模块的任意组合可以被锁定
零延迟
- WP
F
座向下锁定
- 绝对的写保护与V
PPF
= V
SS
FL灰内存
同步/异步读取
- 同步突发读取模式: 54兆赫,
66兆赫
- 随机访问: 70纳秒, 85纳秒
同步突发读暂停
编程时间
- 2.5 μs的典型的Word程序时使用
缓冲增强工厂计划
命令
存储器组织
- 多组内存阵列: 8兆位银行
- 参数块(顶部或底部的位置)
通用闪存接口( CFI )
每块10万编程/擦除周期
双重运作逻辑
- 编程/擦除一个银行,而读
OTHERS
- 读写之间无延迟
操作
PSRAM
访问时间: 70纳秒
异步页读
- 页面大小: 4,8或16个字
- 内页的后续读: 20纳秒
低功耗特性
- 自动温度补偿自我
刷新( TCR )
•部分阵列自刷新( PASR )
- 深度掉电( DPD )模式
同步突发读/写
2007年11月
REV 2
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