欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M36P0R8070E0ZACF 参数 Datasheet PDF下载

M36P0R8070E0ZACF图片预览
型号: M36P0R8070E0ZACF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 256兆位( X16 ,多银行,多层次,突发)闪存128兆位(突发)的PSRAM , 1.8 V电源供电,多芯片封装 [256 Mbit (x16, multiple bank, multilevel, burst) Flash memory 128 Mbit (burst) PSRAM, 1.8 V supply, multichip package]
分类和应用: 闪存静态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 639 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
 浏览型号M36P0R8070E0ZACF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M36P0R8070E0ZACF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M36P0R8070E0ZACF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M36P0R8070E0ZACF的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M36P0R8070E0ZACF的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M36P0R8070E0ZACF的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M36P0R8070E0ZACF的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M36P0R8070E0ZACF的Datasheet PDF文件第13页  
M36P0R8070E0
信号说明
2
信号说明
SEE
为信号的简要概述
连接到该设备。
2.1
地址输入( A0 - A23 )
地址A0 -A22是针对闪存和PSRAM组件的共同投入。
地址A23是输入端,用于仅在闪存组件。地址输入选择
细胞中的闪存存储器阵列中的过程总线读操作来访问。在总线写
操作它们控制发送到闪存的的命令接口的命令
编程/擦除控制器。
在PSRAM的地址输入选择单元中的存储器阵列中,以公共汽车期间将可
读取和写入操作。
2.2
数据输入/输出( DQ0 - DQ15 )
数据I / O输出总线读操作过程中存储的指定地址的数据或
输入一个命令或数据被一个总线写操作期间进行编程。
对于PSRAM组件,高字节数据输入/输出( DQ8 - DQ15 )携带
数据或从当上层字节使能所选择的地址的上部(UB
P
)是
驱动为低电平。低字节数据输入/输出( DQ0 - DQ7 )携带的数据或从
当低字节使能所选择的地址的较低部分(LB
P
)被拉低。当两个
UB
P
和LB
P
被禁用时,数据输入/输出高阻抗。
2.3
锁存使能( L)
锁存使能引脚是常见的闪存和PSRAM组件。
有关锁存详情使能信号,请参考的数据表
相应的内存组件: M69KB128AA的PSRAM和M58PR256J的
FL灰的记忆。
2.4
时钟( K)
时钟输入引脚是常见的闪存和PSRAM组件。
有关时钟信号的详细信息,请参阅各自的数据表
内存部分: M69KB128AA的PSRAM和M58PR256J为Flash
内存。
9/22