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M36W0R6040T3ZAQF 参数 Datasheet PDF下载

M36W0R6040T3ZAQF图片预览
型号: M36W0R6040T3ZAQF
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内容描述: 64兆位( 4兆】 16 ,多个银行,爆裂),闪存和16兆( 1兆】 16 )或32兆比特( 2兆比特X16 ) PSRAM的MCP [64-Mbit (4 Mbits 】16, multiple bank, burst) Flash memory and 16-Mbit (1 Mbit 】16) or 32-Mbit (2 Mbits x16) PSRAM MCP]
分类和应用: 闪存内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 469 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M36P0R9070E0
512兆位( X16 ,多银行,多层次,突发)闪存
128兆位(突发)的PSRAM , 1.8V电源,多芯片封装
功能摘要
多芯片封装
- 1模512兆位(32 MB ×16 ,多
银行,多层次,突发)闪存
– 1
死亡的128Mbit的(8MB ×16)
PSRAM
电源电压
– V
DDF
= V
CCP
= V
DDQ
= 1.7〜 1.95V
– V
PPF
= 9V快速程序
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 器件代码: 8819
ECOPACK®封装
FBGA
TFBGA107 ( ZAC )
FL灰内存
块锁定
- 所有的块锁定在上电时
- 模块的任意组合可以被锁定
零延迟
- WP
F
座向下锁定
- 绝对的写保护与V
PPF
= V
SS
同步/异步读取
- 同步突发读取模式:
108MHz的, 66MHz的
- 异步页读模式
- 随机访问: 96ns
编程时间
- 4.2μs典型的Word程序时使用
缓冲增强工厂计划
命令
存储器组织
- 多组内存阵列: 64兆位银行
- 四个扩展闪存阵列( EFA)的块
64千位
双重运作逻辑
- 编程/擦除一个银行,而读
OTHERS
- 读写之间无延迟
操作
安全
- 2112位用户可编程OTP细胞
- 64位的唯一设备号
每座10万编程/擦除周期
通用闪存接口( CFI )
PSRAM
访问时间: 70ns的
用户可选择的工作模式
- 异步模式:随机读取,并
写,页读
- 同步模式: NOR闪存,全
同步(突发读取和写入)
异步页读
- 页面大小: 4,8或16个字
- 在随后的页面读取: 20ns的
突发读
- 固定长度( 4 , 8 , 16或32个字) ,或
连续
- 最大时钟频率: 80MHz的
低功耗
- 工作电流: < 25毫安
- 待机电流: 200μA
- 深度掉电电流:10μA
低功耗特性
•部分阵列自刷新( PASR )
- 深度掉电( DPD )模式
2007年11月
REV 3
1/23
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