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M36W0R6050T1ZAQF 参数 Datasheet PDF下载

M36W0R6050T1ZAQF图片预览
型号: M36W0R6050T1ZAQF
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内容描述: 64兆位( 4兆】 16 ,多银行,连拍),闪存和32兆(2 MB 】 16 ) PSRAM ,多芯片封装 [64 Mbit (4 Mb 】16, Multiple Bank, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2 Mb 】16) PSRAM, multi-chip package]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 430 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M36W0R6050T1
M36W0R6050B1
64兆位(4 MB × 16 ,多银行,突发)闪存
32兆位( Mb的2 ×16 ) PSRAM ,多芯片封装
特点
多芯片封装
- 1模64兆位(4兆× 16 )Flash存储器
- 1模32兆位( Mb的2 ×16 )伪SRAM
电源电压
– V
DDF
= V
DDP
= V
DDQF
= 1.7 V至1.95 V
低功耗
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 设备代码(上闪存配置) ,
M36W0R6050T1 : 8810h
- 设备代码(底部闪存配置) ,
M36W0R6050B1 : 8811h
- ECOPACK®
FBGA
堆积TFBGA88
(ZA)
块锁定
- 所有的块锁定在上电时
- 模块的任意组合可以被锁定
- WP
F
座向下锁定
安全
- 128位用户可编程OTP细胞
- 64位的唯一设备号
通用闪存接口( CFI )
每块10万编程/擦除周期
FL灰内存
编程时间
- 8微秒由Word典型的快速厂
节目
- 双人/四人Word程序选项
- 增强厂程序选项
内存块
- 多组内存阵列: 4兆位银行
- 参数块(顶部或底部的位置)
同步/异步读取
- 同步突发读取模式: 66兆赫
- 异步/同步页读
模式
- 随机访问: 70纳秒
双重运作逻辑
- 程序擦除一个银行,而在读
OTHERS
- 读写之间无延迟
操作
PSRAM
访问时间: 70纳秒
异步页读
- 页面大小: 8个字
- 内页首页访问: 70纳秒
- 内页的后续读: 20纳秒
三种省电模式
- 深度掉电
- 4 Mbits的部分阵列刷新
- 8兆比特部分阵列刷新
2007年11月
REV 2
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