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M36W0R6050T1ZAQF 参数 Datasheet PDF下载

M36W0R6050T1ZAQF图片预览
型号: M36W0R6050T1ZAQF
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内容描述: 64兆位( 4兆】 16 ,多银行,连拍),闪存和32兆(2 MB 】 16 ) PSRAM ,多芯片封装 [64 Mbit (4 Mb 】16, Multiple Bank, Burst) Flash memory and 32 Mbit (2 Mb 】16) PSRAM, multi-chip package]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 430 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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零件编号
M36W0R6050T1 , M36W0R6050B1
7
零件编号
表7中。
例如:
设备类型
M36 =多的内存产品(多个Flash + RAM)
闪光1架构
W =多行,连拍模式
闪2架构
0 =无有
工作电压
R = V
DDF
= V
DDQF
= V
DDP
= 1.7 V至1.95 V
闪存密度1
6 = 64兆位
闪存密度2
0 =无有
RAM 1密度
5 = 32兆位
内存0密度
0 =无有
参数块的位置
T =热门引导块闪存
B =底部引导块闪存
产品版本
1 = 90纳米闪存技术, 70纳秒; 0.13微米RAM , 70纳秒的速度
ZAQ =堆积TFBGA88 8 × 10毫米 - 8 × 10活跃球阵列,0.8 mm间距
选项
E = ECOPACK®包装,标准包装
F = ECOPACK®包,带&卷轴包装
订购信息计划
M36 W 0 R 6 0 5 ; 0 T 1 ZAQ Ë
设备从与擦除为“1”的存储内容的位出厂。对的列表
可用的选项(速度,封装等),或用于对本任何方面的进一步信息
设备,请与恒忆销售办事处离你最近。
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