M39P0R9080E0ZADF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M39P0R9080E0ZADF
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内容描述：	512兆位（ X16 ，多银行，多层次，突发）快闪记忆体256兆比特的低功耗SDRAM的1.8V电源，多芯片封装 [512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 256 Mbit Low Power SDRAM, 1.8V Supply, Multi-Chip Package]
分类和应用：	内存集成电路动态存储器
文件页数/大小：	23 页 / 465 K
品牌：	NUMONYX [ NUMONYX B.V ]

M39P0R9080E0

512兆位（ X16 ，多银行，多层次，突发）闪存

256 Mbit的低功耗SDRAM ， 1.8V电源，多芯片封装

功能摘要

■

多芯片封装

- 1模512兆位（32 MB ×16 ，多

银行，多层次，突发）闪存

- 1模256兆位（4个4Mb的X16的）

低

功率同步动态RAM

电源电压

– V

DDF

= V

CCP

= V

DDQ

= 1.7〜 1.95V

– V

PPF

= 9V快速程序

电子签名

- 制造商代码： 20H

- 器件代码： 8819

ECOPACK®封装

FBGA

■

TFBGA105 （ ZAD ）

9× 11毫米

■

每座10万编程/擦除周期

块锁定

- 所有的块锁定在上电时

- 模块的任意组合可以被锁定

零延迟

- WP

座向下锁定

- 绝对的写保护与V

PPF

= V

通用闪存接口（ CFI ）

■

FL灰内存

■

同步/异步读取

- 同步突发读取模式：

108MHz的， 66MHz的

■

LPSDRAM

■

- 异步页读模式

- 随机访问： 96ns

■

编程时间

- 4.2μs典型的Word程序时使用

缓冲增强工厂计划

命令

存储器组织

- 多组内存阵列： 64兆位

银行

- 四个扩展闪存阵列（ EFA）的块

64千位

双重运作逻辑

- 编程/擦除一个银行，而读

OTHERS

- 读写之间无延迟

操作

安全

- 64位的唯一设备号

- 2112位用户可编程OTP细胞

256兆位同步动态RAM

- 组织为4银行4 MWords ，每

16位宽

同步突发读写

- 修正突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8字或全部

页面

- 突发类型：顺序和交错。

- 时钟频率： 133兆赫（ 7.5ns速度

类）

- 时钟有效到输出延迟（ CAS延迟）：

3 ，在133兆赫

自动和控制预充电

低功耗特点：

- 部分阵列自刷新（ PASR ）

- 自动温度补偿自

刷新（ TCSR ）

- 驱动强度（ DS ）

- 深度掉电模式

自动刷新和自刷新

■

2007年11月

REV 2

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www.numonyx.com

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