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M45PE40-VMN6TP 参数 Datasheet PDF下载

M45PE40-VMN6TP图片预览
型号: M45PE40-VMN6TP
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内容描述: 4兆位,低电压,页面可擦除串行闪存与字节变性和50兆赫的SPI总线接口 [4 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with byte-alterability and a 50 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 46 页 / 888 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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DC和AC参数
表14 。
AC特性( 50 MHz工作频率)
(1)
对于T9HX技术50 MHz的初步数据
(2)
在规定的试验条件
符号
f
C
f
R
t
CH(3)
t
CL(3)
t
SLCH
t
CHSL
t
DVCH
t
CHDX
t
CHSH
t
SHCH
t
SHSL
t
SHQZ(4)
t
CLQV
t
CLQX
t
WHSL
t
SHWL
t
DP(4)
t
RDP(4)
t
RLRH(4)
t
RHSL
t
SHRH
t
PW(5)
t
PP(5)
t
PE
t
SE
1.初步数据。
2.交货零件T9HX过程中,以2007年7月开始。
3. t
CH
+ t
CL
必须大于或等于1 /女
C
4.价值通过特性保证,而不是100 %生产测试。
M45PE40
Alt键。
f
C
参数
时钟频率为以下说明:
FAST_READ , PW , PP , PE , SE , DP , RDP ,
WREN , WRDI , RDSR , RDID
时钟频率读取指令
分钟。
特区
特区
9
9
0.1
5
5
2
5
5
5
100
典型值。
马克斯。
50
33
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CLH
t
CLL
t
CSS
t
DSU
t
DH
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟转换率
(4)
(峰到峰)
的积极建立时间(相对于C)
S不主动保持时间(相对于C)
数据建立时间
数据保持时间
的积极保持时间(相对于C)
S不主动建立时间(相对于C)
t
CSH
t
DIS
t
V
t
HO
S取消时间
输出禁止时间
时钟低到输出有效
输出保持时间
写保护设置时间
写保护保持时间
S到深度掉电
S增强待机模式
8
8
0
50
100
3
30
10
3
10
11
0.8
INT ( N / 8 )× 0.025
10
1
23
3
20
5
ns
ns
ns
ns
ns
µs
µs
µs
µs
ns
ms
ms
ms
s
t
RST
t
REC
复位脉冲宽度
复位恢复时间
芯片应该前已取消
复位撤除
页写周期( 256字节)
页编程周期( 256字节)
页编程周期( n字节)
页擦除周期时间
扇区擦除周期时间
5. N =编程的字节数。整型(A)中对应于A.实施例的上整数部分:整数(1/8) = 1,中间体( 16/8 ) = 2,
整型( 17/8 )= 3 。
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