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M58BW32FB4ZA3F 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M58BW32FB4ZA3F
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内容描述: 16或32兆位( ×32 ,引导块,突发) 3.3 V电源闪存 [16 or 32 Mbit (x 32, boot block, burst) 3.3 V supply Flash memories]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 87 页 / 1607 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M58BW16F
M58BW32F
16或32兆位( ×32 ,引导块,爆)
3.3 V电源闪存
初步数据
特点
电源电压
– V
DD
= 2.7 V至3.6 V ( 45纳秒)或
V
DD
= 2.5 V至3.3 V ( 55纳秒)
– V
DDQ
= V
DDQIN
= 2.4 V至3.6 V的I / O
缓冲器
高性能
•访问次数: 45和55纳秒
- 同步突发读取
- 75 MHz的有效的零等待状态突发读取
- 异步页读取
M58BW32F存储器组织:
- 八64 Kbit的小参数块
- 四个128 Kbit的大量参数块
- 六十个512 Kbit的主要模块
M58BW16F存储器组织:
- 八64 Kbit的参数块
- 三十一512 Kbit的主要模块
硬件块保护
- WP引脚保护任何块组合
从编程和擦除操作
- PEN信号编程/擦除启用
不可逆的修改保护( OTP等)上
128千位:
- 1座(底部的设备)或阻断72 (顶部
装置)中的M58BW32F
- 块2和3(下部装置)或块36
和图35(顶装置)在M58BW16F
安全
- 64位的唯一设备标识符( UID )
快速编程
- 写缓存和计划能力
优化外商直接投资驱动程序
??通用闪存接口( CFI )
- 快速编程/擦除挂起功能,在
每个块
低功耗
- 100 μA的典型待机电流
PQFP80 ( T)
LBGA
LBGA80 (ZA)
10 ×8球阵列
电子签名
- 制造商代码: 0020H
- 顶级设备代码:
M58BW32FT : 8838h
M58BW16FT : 883Ah
- 底设备代码:
M58BW32FB : 8837h
M58BW16FB : 8839h
汽车装置3级:
- 温度:
40至125℃的
- 汽车级认证
2008年3月
第5版
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这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改,恕不另行通知。