M58LT128HST ， M58LT128HSB
描述
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描述
该M58LT128HST / B是128兆位（ 8兆比特×16 ）非易失性安全的闪存。他们
可以在块级电擦除和上一个字的字中的系统程序
采用1.7 V至2.0 V V基础
DD
供应电路和一个2.7 V至3.6 V V
DDQ
供应FOR
的输入/输出管脚。一个可选的9 V V
PP
电源被提供给加速厂
编程。
该器件具有一个不对称的模块结构，用131块阵列，分
到8兆比特的银行。有每片含64 K字8个主要街区15家银行，以及一个
载有16 K字4参数块和7个主要的64个块参数银行
K字。
在多行结构允许双操作，而编程或擦除一个
银行，读操作都可以在其他银行。在同一时间只有一个银行允许为
在编程或擦除模式。它是能够进行脉冲串读出该横银行边界。
银行体系结构总结于
和存储器映射中示出
该参数块位于存储器地址空间顶部的
M58LT128HST ，并在底部的M58LT128HSB 。
每个块可以单独被删除。擦除可以暂停执行程序或
在任何其它块的读操作，然后重新开始。程序可以暂停阅读
在任何内存位置的数据，除了一个被编程，然后重新开始。
每个模块进行编程，并使用电源电压删除超过10万次
V
DD
。有一个缓冲增强工厂编程指令可加快
编程。
编程和擦除命令被写入存储器的命令接口。一
内部编程/擦除控制器管理所需的编程和擦除的时序
操作。一个程序或擦除操作的结束，可以检测任何错误
在状态寄存器确定的条件。所需的命令集来控制
内存符合JEDEC标准相一致。
该设备支持同步突发读取和异步读取从所有块
所述存储器阵列;在上电时器件配置为异步读取。在
同步突发读模式中，数据被输出，在每个时钟周期以高达的频率
52兆赫。同步突发读取操作可以暂停和恢复。
该器件具有自动待机模式。当总线处于非活动状态时
异步读操作时，设备会自动切换到自动待机
模式。在这种状态下的功耗降低到备用值和
输出仍然驱动。
该M58LT128HST / B提供即时，独立块保护方案，它允许任何
块被保护或未被保护的，没有延迟，可实现即时代码和数据
保护。它们可以被单独地保护防止任何意外编程或
擦除。还有一个额外的硬件保护，防止编程和擦除。当V
PP
≤
V
PPLK
所有块保护，防止程序或擦除。所有块保护在上电
了。
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NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
