M58LT128HST ， M58LT128HSB
表35 。
OFFSET
（P）H = 10Ah可
通用闪存接口
主要的特定算法扩展查询表
数据
0050h
0052h
0049h
初级算法扩展查询表中是唯一的ASCII字符串
“ PRI ”
主要版本号， ASCII码
副版本号， ASCII码
扩展查询表内容的主要算法。地址
（P + 5 ）H含有较少的显著字节。
位0芯片擦除支持（ 1 =是， 0 =否）
1位擦除挂起支持（ 1 =是， 0 =否）
2位程序支持的挂起（ 1 =是， 0 =否）
3位遗产保护/撤消支持（ 1 =是， 0 =否）
4位排队擦除支持（ 1 =是， 0 =否）
5位个人即时块保护的支持（ 1 =是， 0 =
NO）
支持6位保护位（ 1 =是， 0 =否）
位7页模式阅读支持（ 1 =是， 0 =否）
8位同步读取支持（ 1 =是， 0 =否）
9位同时操作支持（ 1 =是， 0 =否）
位10〜 31保留;未定义位为“ 0 ” 。如果第31位为“1” ，然后
可选功能的另一个31位的字段，在如下的结束
位30场。
支持的功能后暂停
读阵列，读状态寄存器和CFI查询
描述
价值
"P"
＆ QUOT ; R QUOT ;
[我＆ QUOT ;
"1"
"3"
（P + 3） H = 10DH
（P + 4） H = 10EH
（P + 5 ）H = 10Fh
0031h
0033h
00E6h
0003h
（P + 7） H = 111H
0000h
（P + 8） H = 112h内
0000h
No
是的
是的
No
No
是的
是的
是的
是的
是的
（P + 9 ）， H = 113H
0001h
位0程序擦除后支持暂停（ 1 =是， 0 =否）
第7位为1保留;未定义位为“ 0 ”
是的
（P + A ）H = 114h中
0003h
块保护状态
定义哪些位的块状态寄存器部分
查询的贯彻落实。
位0块保护状态寄存器的保护/撤消
位处于活动状态（ 1 =是， 0 =否）
位1块保护状态寄存器向下锁定位处于活动状态（ 1
=是， 0 =否）
位15 〜2保留供未来使用;未定义位为“ 0 ”
V
DD
逻辑电源优化编程/擦除电压（最高
性能）
（P + B） H = 115H
0000h
是的
No
（P + C） H = 116h
0018h
第7位到4伏HEX值
3位在100毫伏0 BCD值
V
PP
供应最佳编程/擦除电压
1.8V
（P + D） H = 117H
0090h
第7位到4伏HEX值
3位在100毫伏0 BCD值
9V
85/110
NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
