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M58LT256JSB8ZA6 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M58LT256JSB8ZA6
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内容描述: 256兆位( Mb的16 】 16 ,多银行,多层次,突发) 1.8 V电源供电,安全闪存 [256 Mbit (16 Mb 】 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 108 页 / 1965 K
品牌: NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
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M58LT256JST
M58LT256JSB
256兆位( Mb的16 ×16 ,多银行,多层次,突发)
1.8 V电源供电,安全闪存
特点
电源电压
– V
DD
= 1.7至2.0V为编程,擦除
和阅读
– V
DDQ
= 2.7 V至3.6 V的I / O缓冲器
– V
PP
= 9 V快速程序
同步/异步读取
- 同步突发读取模式: 52兆赫
- 随机访问: 85纳秒
- 异步页读模式
同步突发读暂停
编程时间
- 5微秒典型的Word程序时使用缓冲区
强化厂程序命令
存储器组织
- 多组内存阵列: 16兆位银行
- 参数块(顶部或底部的位置)
双重运作逻辑
- 编程/擦除一个银行,而读
OTHERS
- 读写之间无延迟
操作
块保护
- 在电保护的所有块
- 模块的任意组合可以得到保护
零延迟
- 绝对的写保护与V
PP
= V
SS
安全
- 软件安全保护功能
- 64位的唯一设备号
- 2112位用户可编程OTP细胞
CFI (通用闪存接口)
每块10万编程/擦除周期
BGA
TBGA64 (ZA)
10× 13毫米
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 顶级设备代码:
M58LT256JST : 885Eh
- 底设备代码
M58LT256JSB : 885Fh
TBGA64包
- ECOPACK®兼容
2007年12月
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