M58WRxxxKU ， M58WRxxxKL
描述
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描述
该M58WR016KU / L时， M58WR032KU / L和M58WR064KU / L分别为16兆位（1兆×16 ） ， 32位
兆位（ 2兆× 16 ）和64兆位（ 4兆× 16 ）的非易失性闪存，分别为。在
该文件的其余部分，它们将被称为M58WRxxxKU / L，除非另有规定。
该M58WRxxxKU / L可以电在块级进行擦除和系统内编程
就一个字，用字使用1.7 V至2 V V基础
DD
供给的电路和一个1.7 V至2 V
V
DDQ
供应用于将输入/输出管脚。一个可选的9 V V
PP
电源被提供给
加快客户编程。
第16地址线被复用在所述数据输入/输出信号
复用的地址/数据总线ADQ0 - ADQ15 。剩下的地址线， A16 -澳玛，是
最高有效位的地址。
该器件具有一个不对称的模块结构：
●
该M58WR016KU / L的有39块的阵列，并且被划分成4兆位的银行。
有3银行各含有32个K字8主块和一个参数
银行含4 K字的8个参数块和7个主要的32K字块。
该M58WR032KU / L的有71块的阵列，并且被划分成4兆位的银行。
有7银行各含有32个K字8主块和一个参数
银行含4 K字的8个参数块和7个主要的32K字块。
该M58WR064KU / L的有135块的阵列，并且被划分成4兆位的银行。
有15家银行各自含有的32K字8主块和一个参数
银行含4 K字的8个参数块和7个主要的32K字块。
●
●
在多行结构允许双操作，而编程或擦除
一家银行，读取操作都可以在其他银行。只有一次一个银行被允许
要在编程或擦除模式。它是能够进行脉冲串读出该横银行
边界。银行结构总结在表
2, 3
和
4,
和存储器
地图显示在图
3, 4
和
5.
参数块位于的顶部
为M58WR016KU ， M58WR032KU和M58WR064KU ，并在内存地址空间
底部为M58WR016KL ， M58WR032KL和M58WR064KL 。
每个块可以单独被删除。擦除可以暂停，以便执行程序
在任何其他模块，然后重新开始。程序可以被暂停，以便在任何其它读取的数据的
块，然后重新开始。每个模块进行编程和擦除超过10万次
使用电源电压V
DD
。有两种增强型工厂编程指令
可加快编程。
编程和擦除命令被写入存储器的命令接口。一
内部编程/擦除控制器负责定时的必要程序和
擦除操作。一个程序或擦除操作的结束，可以检测任何错误
在状态寄存器确定的条件。所需的命令集来控制
内存符合JEDEC标准相一致。
该设备支持同步突发读取和异步读取距离的所有块
存储器阵列;上电时，该设备被配置为异步读取。在同步
突发模式中，数据是在每个时钟周期以高达86兆赫的频率输出。该
同步突发读操作可以暂停和恢复。
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NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
